半導体装置

開放特許情報番号
L2018001605
開放特許情報登録日
2018/8/14
最新更新日
2018/8/14

基本情報

出願番号 特願2016-568732
出願日 2016/1/6
出願人 国立大学法人北海道大学
公開番号 WO2016/111306
公開日 2016/7/14
発明の名称 半導体装置
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造
適用製品 半導体装置
目的 イオン液体を用いた電気二重層トランジスタに代えて、多孔質の絶縁体中に保持された水の電気分解を用いて活性層の結晶構造を変化させ、強磁性金属と反強磁性絶縁体との間で活性層の特性を切り替える半導体装置の提供。
効果 水の電気分解で生成する水素ガスおよび酸素ガスを利用して、活性層の結晶構造(酸素含有率)を変化させ、強磁性金属と反強磁性絶縁体との間で活性層の特性を切り替えることにより、室温動作が可能な半導体装置を得ることができる。
技術概要
酸化物の磁性材料からなる活性層と、
該活性層の上に設けられた、水を含有する多孔質誘電体と、を含み、
該水の電気分解で形成された水素および酸素を用いて、強磁性金属と反強磁性絶縁体との間で該活性層の結晶構造を変化させることを特徴とする半導体装置。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

アピール情報

アピール内容 譲渡に関しては応相談。下記は研究シーズのURLです。

https://seeds.mcip.hokudai.ac.jp/jp/view/308/

米国:15/541936 欧州:16735045.3

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【有】   
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