支持体上に単原子が分散した構造体、支持体上に単原子が分散した構造体を製造する方法およびスパッタ装置

開放特許情報番号
L2018001604
開放特許情報登録日
2018/8/14
最新更新日
2018/8/14

基本情報

出願番号 PCT/JP2017/002670
出願日 2017/1/26
出願人 国立大学法人北海道大学
公開番号 WO2017/135136
公開日 2017/8/10
発明の名称 支持体上に単原子が分散した構造体、支持体上に単原子が分散した構造体を製造する方法およびスパッタ装置
技術分野 機械・加工、化学・薬品、無機材料
機能 材料・素材の製造
適用製品 支持体上に単原子が分散した構造体、支持体上に単原子が分散した構造体を製造する方法およびスパッタ装置
目的 より多様な種類の原子を単原子で分散させることが可能な、支持体上に原子が分散した構造体、そのような構造体を製造する方法、およびそのような構造体を製造できるスパッタ装置を提供すること。
効果 本発明によれば、より多様な種類の原子を単原子で分散させることが可能な、支持体上に単原子が分散した構造体、そのような構造体を製造する方法、およびそのような構造体を製造できるスパッタ装置が提供される。
技術概要
本発明は、以下の支持体上に単原子が分散した構造体、支持体上に単原子が分散した構造体を製造する方法およびスパッタ装置に関する。
[1]スパッタリングが可能な原子を吸着可能なアンカーサイトが形成された支持体と、前記アンカーサイトに吸着されて、前記支持体上に単原子で分散した、前記スパッタリングが可能な原子と、を含む、支持体上に単原子が分散した構造体。
[2]前記支持体は、ナノグラフェンからなる1または複数の層がグラフェン上に島状に積層した積層体であり、前記アンカーサイトは、グラフェン上またはナノグラフェンからなる層の表面のうち、その上に形成された前記ナノグラフェンからなる層の端部と接する領域である、[1]に記載の構造体。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

アピール情報

アピール内容 譲渡に関しては応相談。下記は研究シーズのURLです。

https://seeds.mcip.hokudai.ac.jp/jp/view/304/

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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