トンネル電界効果トランジスタおよびその製造方法

開放特許情報番号

L2018001603

開放特許情報登録日

2018/8/14

最新更新日

2018/8/14

基本情報

出願番号	特願2011-534074
出願日	2010/9/29
出願人	国立大学法人北海道大学
公開番号	WO2011/040012
公開日	2011/4/7
登録番号	特許第5652827号
特許権者	国立大学法人北海道大学
発明の名称	トンネル電界効果トランジスタおよびその製造方法
技術分野	電気・電子
機能	機械・部品の製造、制御・ソフトウェア
適用製品	トンネル電界効果トランジスタおよびその製造方法
目的	小さなサブ閾値（６０ｍＶ／桁以下）で動作可能であり、かつ容易に製造しうるＴＦＥＴおよびその製造方法を提供すること。
効果	本発明によれば、小さなサブ閾値（６０ｍＶ／桁以下）で動作可能なＴＦＥＴ（スイッチ素子）を容易に製造することができる。本発明のＴＦＥＴを用いることで、半導体マイクロプロセッサおよび高集積回路の電力消費量の増大を抑制しつつ、半導体マイクロプロセッサおよび高集積回路の集積度および性能を向上させることができる。
技術概要	（１１１）面を有し、第１導電型にドープされたIV族半導体基板と、 前記IV族半導体基板の（１１１）面上に配置されたIII−Ｖ族化合物半導体ナノワイヤであって、前記IV族半導体基板の（１１１）面に接続された第１の領域と、前記第１導電型と異なる第２導電型にドープされた第２の領域とを含むIII−Ｖ族化合物半導体ナノワイヤと、 前記III−Ｖ族化合物半導体ナノワイヤと接触せず、かつ前記IV族半導体基板に接続されたソース電極またはドレイン電極と、 前記III−Ｖ族化合物半導体ナノワイヤの第２の領域に接続されたドレイン電極またはソース電極と、 前記IV族半導体基板の（１１１）面と前記III−Ｖ族化合物半導体ナノワイヤとの界面に電界を作用させるゲート電極と、 を有する、トンネル電界効果トランジスタ。
実施実績	【無】
許諾実績	【無】
特許権譲渡	【否】
特許権実施許諾	【可】

アピール情報

アピール内容	譲渡に関しては応相談。下記は研究シーズのURLです。 https://seeds.mcip.hokudai.ac.jp/jp/view/215/ 米国：特許第8,698,254号　欧州：10820133.6 中国：特許第ZL201080043950.2号　韓国：特許第10-1663200号

登録者情報

登録者名称	国立大学法人北海道大学

その他の情報

関連特許	国内 【無】 国外 【有】