適用製品
トンネル電界効果トランジスタおよびその製造方法
目的
小さなサブ閾値（６０ｍＶ／桁以下）で動作可能であり、かつ容易に製造しうるＴＦＥＴおよびその製造方法を提供すること。
効果
本発明によれば、小さなサブ閾値（６０ｍＶ／桁以下）で動作可能なＴＦＥＴ（スイッチ素子）を容易に製造することができる。本発明のＴＦＥＴを用いることで、半導体マイクロプロセッサおよび高集積回路の電力消費量の増大を抑制しつつ、半導体マイクロプロセッサおよび高集積回路の集積度および性能を向上させることができる。
技術概要
（１１１）面を有し、第１導電型にドープされたIV族半導体基板と、
前記IV族半導体基板の（１１１）面上に配置されたIII−Ｖ族化合物半導体ナノワイヤであって、前記IV族半導体基板の（１１１）面に接続された第１の領域と、前記第１導電型と異なる第２導電型にドープされた第２の領域とを含むIII−Ｖ族化合物半導体ナノワイヤと、
前記III−Ｖ族化合物半導体ナノワイヤと接触せず、かつ前記IV族半導体基板に接続されたソース電極またはドレイン電極と、
前記III−Ｖ族化合物半導体ナノワイヤの第２の領域に接続されたドレイン電極またはソース電極と、
前記IV族半導体基板の（１１１）面と前記III−Ｖ族化合物半導体ナノワイヤとの界面に電界を作用させるゲート電極と、
を有する、トンネル電界効果トランジスタ。
基本情報
開放特許情報
)
登録者情報
その他の情報
