フォトレジストパターンの作製方法

開放特許情報番号
L2018001590
開放特許情報登録日
2018/8/2
最新更新日
2018/8/2

基本情報

出願番号 特願2012-503013
出願日 2011/3/1
出願人 国立大学法人北海道大学
公開番号 WO2011/108259
公開日 2011/9/9
登録番号 特許第5652887号
特許権者 国立大学法人北海道大学
発明の名称 フォトレジストパターンの作製方法
技術分野 電気・電子、情報・通信
機能 材料・素材の製造
適用製品 フォトレジストをパターニングする方法
目的 一定上の厚みのフォトレジスト膜であっても、露光する光の波長の長さに関わらず、容易にファインパターニングする方法を提供すること。
効果 フォトマスクとして用いる金属ナノ構造体に配置された金属膜のパターンを、フォトレジスト膜に容易に転写することができる。つまり、露光する光の波長を、レジストが本来感光する光よりも長波長とし、かつ金属ナノ構造体のプラズモン共鳴バンドのピーク波長よりも短くすることで、一定以上の厚みのレジスト膜に、フォトマスクとしての金属ナノ構造体に配置された金属膜のパターンを転写することができる。したがって、安価な光源を用いたフォトリソグラフィ装置を用いて、通常の紫外光に感光するフォトレジストを、ナノパターニングすることができる。
技術概要
基板表面に凹凸構造を有するマスク基板の少なくとも凸部に金属膜が配置された、プラズモン共鳴を生じる金属ナノ構造体からなるフォトマスクを準備するステップ、
レジスト基板表面に成膜された、波長Xの光に感光するフォトレジスト膜を準備するステップ、
前記フォトレジスト膜に前記フォトマスクを接触させるステップ、
前記フォトレジスト膜に、前記波長Xよりも長く、かつ前記金属ナノ構造体のプラズモン共鳴バンドのピーク波長よりも50nm〜200nm短い波長Yの光を照射することで、前記フォトマスクの金属膜の表面においてプラズモン共鳴に基づく散乱光を発生させて、前記フォトマスクの金属膜のパターンを前記フォトレジスト膜に転写するステップを含む、
フォトレジストパターンを作製する方法。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

アピール情報

アピール内容 譲渡に関しては応相談。下記は研究シーズのURLです。

https://seeds.mcip.hokudai.ac.jp/jp/view/121/

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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