ナノ接合素子およびその製造方法

開放特許情報番号
L2018001588
開放特許情報登録日
2018/8/2
最新更新日
2018/8/2

基本情報

出願番号 特願2011-197115
出願日 2011/9/9
出願人 国立大学法人北海道大学
公開番号 特開2013-058679
公開日 2013/3/28
登録番号 特許第5773491号
特許権者 国立大学法人北海道大学
発明の名称 ナノ接合素子およびその製造方法
技術分野 電気・電子、輸送、金属材料
機能 材料・素材の製造
適用製品 コバルト薄膜およびその形成方法ならびにナノ接合素子およびその製造方法ならびに配線およびその形成方法
目的 厚さが35nm以下でも十分に高い保磁力および角型比を有する磁性のコバルト薄膜を得ることができるコバルト薄膜の形成方法およびこの方法により形成されるコバルト薄膜を提供すること。
不揮発性メモリ、磁気抵抗効果素子、磁気センサーなどの素子を極めて容易に実現することができるナノ接合素子の製造方法およびこの方法により製造されるナノ接合素子を提供すること。
極微細幅の配線を容易に形成することができる配線の形成方法およびこの方法により形成される配線を提供すること。
効果 ポリエチレンナフタレート基板または少なくとも一主面がSiO↓2からなる基板上に厚さが35nm以下のコバルト薄膜を成膜することにより、厚さが35nm以下と極めて小さいにもかかわらず、保磁力および角型比が十分に高いコバルト薄膜を得ることができる。そして、このコバルト薄膜を有する二つの積層体をエッジ同士が互いに対向するように交差させて接合することにより、例えば、室温で巨大な磁気抵抗効果を示し、磁気センサーなどに用いて好適な磁気抵抗効果素子を極めて容易に実現することができる。
技術概要
少なくとも一主面がSiO↓2からなる基板上に厚さが35nm以下のコバルト薄膜を成膜した積層体を二つ用い、これらの二つの積層体を、上記コバルト薄膜のエッジ同士が有機分子を挟んで互いに対向するように交差させて接合するようにしたことを特徴とするナノ接合素子の製造方法。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

アピール情報

アピール内容 譲渡に関しては応相談。下記は研究シーズのURLです。

https://seeds.mcip.hokudai.ac.jp/jp/view/108/

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
Copyright © 2018 INPIT