光電変換装置、建築物および電子機器

開放特許情報番号
L2018001580
開放特許情報登録日
2018/8/2
最新更新日
2018/8/2

基本情報

出願番号 特願2014-542164
出願日 2013/10/17
出願人 国立大学法人北海道大学
公開番号 WO2014/061719
公開日 2014/4/24
登録番号 特許第6261088号
特許権者 国立大学法人北海道大学
発明の名称 光電変換装置、建築物および電子機器
技術分野 電気・電子、情報・通信
機能 機械・部品の製造
適用製品 光電変換装置、建築物および電子機器
目的 入射光に対する不感領域をなくすことができ、ステブラー・ロンスキー効果や紫外成分による有機半導体の劣化を抑えることができ、極めて高い光電変換効率を得ることができ、大面積化も極めて容易な、太陽電池などとして用いて好適な光電変換装置ならびにこの優れた光電変換装置を用いた建築物および電子機器を提供すること。
集光型太陽発電において、集光した光の導入による副産物としての温度上昇により、本来集光無しの場合よりも高まる光電変換効率が相殺されてしまうのを防止することができる光電変換装置を提供すること。
効果 光の入射方向の光電変換層の厚さの選択による光の吸収量の最大化と電極間距離の最小化とを両立させることができる。このため、極めて高い光電変換効率を得ることができる。また、面状光導波路の主面の全体で入射光を受けることができるので、入射光に対する不感領域がない。また、半導体層に光が直接入射しないようにすることができるため、半導体層が例えばアモルファスシリコンや有機半導体からなる場合であっても、ステブラー・ロンスキー(SW)効果や紫外成分による有機半導体の劣化を抑えることができる。
技術概要
3次元空間伝播光を2次元空間伝播光に変換する構造体と、
上記2次元空間伝播光を導波する面状光導波路と、
上記面状光導波路の端部に設けられた光電変換用の半導体層とを有し、
上記面状光導波路の主面に入射した光が上記面状光導波路内を導波されて上記半導体層に入射するように構成され、
上記面状光導波路内を導波される光の正味の進行方向と、上記面状光導波路の端面から上記半導体層に入射した光により上記半導体層中に生成されるキャリアの正味の移動方向とのなす角度θがほぼ直角であることを特徴とする光電変換装置である。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

アピール情報

アピール内容 譲渡に関しては応相談。下記は研究シーズのURLです。

https://seeds.mcip.hokudai.ac.jp/jp/view/80/

関連特許
特許第4022631号 「太陽電池および光電変換素子」
特許第5252147号 「太陽電池」
特許第5392795号 「太陽電池および光電変換素子」

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【有】
国外 【無】   
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