太陽電池および光電変換素子

開放特許情報番号
L2018001579
開放特許情報登録日
2018/8/2
最新更新日
2018/8/2

基本情報

出願番号 特願2011-511480
出願日 2010/4/27
出願人 国立大学法人北海道大学
公開番号 WO2010/126162
公開日 2010/11/4
登録番号 特許第5392795号
特許権者 国立大学法人北海道大学
発明の名称 太陽電池および光電変換素子
技術分野 電気・電子
機能 材料・素材の製造
適用製品 太陽電池および光電変換素子
目的 塗布可能な半導体を用いて塗布技術により半導体層を作製した場合であっても、極めて高い光電変換効率を得ることができ、しかも大面積化も極めて容易な太陽電池および光電変換素子を提供すること。
効果 電極数をE↓(gi)領域11−iの数Nに依存することなく極力小さく抑えつつ、太陽光の入射方向とキャリアの移動方向とを互いに直交させることにより、光吸収の最適化とキャリア収集効率の最適化とを完全に両立することができる。従来に比べて極めて高い光電変換効率を容易に得ることができ、半導体ストライプの数を増やすことで熱力学的限界に迫る光電変換効率を得ることが可能である。例えば、現行の約2倍の10%台の高い光電変換効率を持つ有機半導体を用いた太陽電池を容易に得ることができる。
技術概要
半導体層と、
上記半導体層を挟むように設けられた第1の電極および第2の電極と、上記半導体層の面に垂直な方向に電場を印加するための第3の電極とを有し、
上記第3の電極は上記第1の電極および上記第2の電極のうちの一方の外側に絶縁層を介して設けられていることを特徴とする太陽電池である。
また、
光電変換層と、
上記光電変換層を挟むように設けられた第1の電極および第2の電極と、
上記光電変換層の面に垂直な方向に電場を印加するための第3の電極とを有することを特徴とする光電変換素子である。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

アピール情報

アピール内容 譲渡に関しては応相談。下記は研究シーズのURLです。

https://seeds.mcip.hokudai.ac.jp/jp/view/80/

関連特許
特願2014-542164 「光電変換装置、建築物および電子機器」
特許第4022631号 「太陽電池および光電変換素子」
特許第5252147号 「太陽電池」

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【有】
国外 【無】   
Copyright © 2018 INPIT