大面積ドメイン有機半導体結晶膜の作成方法及び大面積ドメイン有機半導体結晶膜

開放特許情報番号
L2018001557
開放特許情報登録日
2018/7/25
最新更新日
2018/7/25

基本情報

出願番号 特願2013-094386
出願日 2013/4/26
出願人 国立研究開発法人物質・材料研究機構
公開番号 特開2014-216568
公開日 2014/11/17
登録番号 特許第6229924号
特許権者 国立研究開発法人物質・材料研究機構
発明の名称 大面積ドメイン有機半導体結晶膜の作成方法及び大面積ドメイン有機半導体結晶膜
技術分野 電気・電子、無機材料
機能 材料・素材の製造
適用製品 大面積ドメイン有機半導体結晶膜の作成方法及び大面積ドメイン有機半導体結晶膜
目的 所望の場所にパターン形成可能な大面積ドメイン有機半導体結晶膜の作成方法及び大面積ドメイン有機半導体結晶を提供すること。
効果 高結晶性の有機半導体結晶膜を配向制御しながら基板上に直接形成することができ、かつ、所望の場所に大面積有機半導体結晶ドメインをパターン化して形成することができる。低分子系の有機半導体の場合、コンタクト・ラインの移動方向に沿って結晶成長容易軸を配向させることができる。大面積ドメイン有機半導体結晶膜は面積が2.5mm↑2以上である構成なので、有機電界効果トランジスタ(FET)に代表される有機電子デバイスに容易に利用することができる。
技術概要
平面視線状である種結晶部と、前記種結晶部に接続された結晶成長部と、を有する結晶成長用基板を用い、前記種結晶部の一端側から他端側に有機半導体溶液を塗布しながら乾燥させて前記種結晶部で種結晶を作成してから、前記結晶成長部で前記種結晶を成長させて、大面積ドメイン有機半導体結晶膜を作成することを特徴とする大面積ドメイン有機半導体結晶膜の作成方法。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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