フォトカソード型電子線源、その作成方法及びフォトカソード型電子線源システム
- 開放特許情報番号
- L2018001553
- 開放特許情報登録日
- 2018/7/24
- 最新更新日
- 2018/7/24
基本情報
| 出願番号 | 特願2013-115335 |
|---|---|
| 出願日 | 2013/5/31 |
| 出願人 | 国立研究開発法人物質・材料研究機構 |
| 公開番号 | |
| 公開日 | 2014/12/15 |
| 登録番号 | |
| 特許権者 | 国立研究開発法人物質・材料研究機構 |
| 発明の名称 | フォトカソード型電子線源、その作成方法及びフォトカソード型電子線源システム |
| 技術分野 | 電気・電子 |
| 機能 | 機械・部品の製造 |
| 適用製品 | フォトカソード型電子線源、その作成方法及びフォトカソード型電子線源システム |
| 目的 | 従来の電子線源に比べて格段に高輝度の電子線を発生でき、寿命を格段に長くできる、「フォトカソード型電子線源、その作成方法及びフォトカソード型電子線源システム」を提供すること。 |
| 効果 | 光電子の放出を妨げない範囲に薄く、丈夫に形成された保護処理層により、Ｃｓ↓３Ｓｂ等の高量子効率物質から光電効果により発生する電子線を低減させることなく、光電子を放出させることができ、光電流値を高くして、光電変換に基づく量子効率を高くすることができるとともに、Ｃｓ↓３Ｓｂ等の高量子効率物質と、真空中においても極微量存在する水や酸素との化学反応を抑制でき、フォトカソード型電子線源の寿命を長くすることができる。 |
技術概要) |
陰極先端の先端面に形成されたフォトカソード型電子線源であって、
前記先端面に形成されたＷ又はＣｒからなる接合層と、 前記接合層の一面に形成された光電子放出層と、 前記光電子放出層の一面に形成された保護処理層と、を有し、 前記保護処理層がＷ又はＣｒが酸化した不動態皮膜からなることを特徴とするフォトカソード型電子線源。 |
| 実施実績 | 【無】 |
| 許諾実績 | 【無】 |
| 特許権譲渡 | 【否】 |
| 特許権実施許諾 | 【可】 |
登録者情報
| 登録者名称 | |
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その他の情報
| 関連特許 |
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