デュアルゲート有機薄膜トランジスタ

開放特許情報番号
L2018001552
開放特許情報登録日
2018/7/24
最新更新日
2018/7/24

基本情報

出願番号 特願2013-117654
出願日 2013/6/4
出願人 国立研究開発法人物質・材料研究機構
公開番号 特開2014-236138
公開日 2014/12/15
登録番号 特許第6210530号
特許権者 国立研究開発法人物質・材料研究機構
発明の名称 デュアルゲート有機薄膜トランジスタ
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造
適用製品 デュアルゲート有機薄膜トランジスタ
目的 有機半導体層を光活性度の異なる二層構成としそれぞれにゲートを設けた単一素子として構成されたデュアルゲート構造の有機薄膜トランジスタを作製すれば多様な機能が実現可能であると期待される。
効果 ゲート電圧を光活性度の異なる2つの有機半導体に対応した2つのゲートの内の何れのゲートに供給するかを切り替えることにより、一つの素子で複数種類の動作を切り替えることが容易になる。例えば、光記憶機能を有する素子と通常のトランジスタ動作をする素子の何れにも切り替えて動作可能なデュアルゲート有機薄膜トランジスタが実現できる。
技術概要
ソース電極とドレイン電極との間に有機半導体薄膜が設けられるとともに、前記有機半導体薄膜中を流れるキャリアを制御する有機半導体薄膜トランジスタにおいて、
前記有機半導体薄膜は第1の有機半導体層及び前記第1の有機半導体層と光活性度の異なる第2の有機半導体層が積層されて構成され、
前記有機半導体薄膜の第1の面及び第2の面上にそれぞれ第1の絶縁膜及び第2の絶縁膜を介して第1のゲート電極及び第2のゲート電極を設けた
デュアルゲート有機薄膜トランジスタ。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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