| 出願番号 |
特願2004-298149 |
| 出願日 |
2004/10/12 |
| 出願人 |
富士通株式会社 |
| 公開番号 |
特開2006-111898 |
| 公開日 |
2006/4/27 |
| 登録番号 |
特許第4525285号 |
| 特許権者 |
富士通株式会社 |
| 発明の名称 |
電子部品及びその製造方法 |
| 技術分野 |
金属材料、電気・電子 |
| 機能 |
機械・部品の製造 |
| 適用製品 |
電子部品及びその製造方法 |
| 目的 |
錫めっき皮膜を有する電子部品及びその製造方法に関し、長期間放置しても錫ウイスカの発生が少なく、簡単かつ少ない工程で形成することができる鉛フリー錫めっき皮膜を提供すること。 |
| 効果 |
錫めっき皮膜表面の酸化処理又は水酸化処理により錫めっき皮膜表面に厚く緻密な表面層を形成するので、鉛フリー錫めっき皮膜でも錫ウイスカの成長が抑制される。また、かかる酸化又は水酸化処理は、工程が簡単でかつ工程数の増加も少なく、錫ウイスカの成長を僅かなコストで抑制することができる。
さらに、内部応力が小さくかつ厚い拡散層を有する錫めっき皮膜を形成することができるから、その後の固相拡散による応力発生が小さく錫ウイスカの成長が抑制される錫めっき皮膜を形成することができる。 |
技術概要
 |
下地金属と、
鉛フリー錫合金又は錫からなり、該下地金属表面に形成された鉛フリー錫めっき皮膜と、
該鉛フリー錫めっき皮膜上に形成され、該鉛フリー錫めっき皮膜の表面を室温で酸素プラズマに曝して酸化することにより形成された酸化物からなる表面層とを有する電子部品。 |
| 実施実績 |
【無】 |
| 許諾実績 |
【無】 |
| 特許権譲渡 |
【否】
|
| 特許権実施許諾 |
【可】
|
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