磁気抵抗素子および記憶回路

基本情報

出願番号	特願2017-521945
出願日	2016/5/31
出願人	国立研究開発法人科学技術振興機構
公開番号	WO2016/194886
公開日	2016/12/8
登録番号	特許第6424272号
特許権者	国立研究開発法人科学技術振興機構
発明の名称	磁気抵抗素子および記憶回路
技術分野	電気・電子
機能	材料・素材の製造、制御・ソフトウェア、機械・部品の製造
適用製品	磁気抵抗素子および記憶回路
目的	フリー層の磁化方向を変更するための消費エネルギーを削減すること。
効果	フリー層の磁化方向を変更するための消費エネルギーを削減することができる。
技術概要	磁歪材料を含む磁歪層を備えたフリー層と、第１強磁性体層を備えるピン層と、前記ピン層と前記フリー層との間に設けられた薄膜と、前記フリー層と前記ピン層との積層方向に交差する方向から前記磁歪層の少なくとも一部を囲むように設けられ、前記磁歪層に圧力を加える圧電体と、前記フリー層に印加される電圧および前記ピン層に印加される電圧と異なる電圧を印加可能であって、前記圧電体が前記磁歪層に圧力を加えるように前記圧電体に電圧を印加する電極と、を具備することを特徴とする磁気抵抗素子。
実施実績	【無】
許諾実績	【無】
特許権譲渡	【否】
特許権実施許諾	【可】

登録者名称	国立研究開発法人科学技術振興機構