全固体電気二重層を利用した可変電気伝導素子およびそれを用いた電子装置

開放特許情報番号

L2018001526

開放特許情報登録日

2018/7/24

最新更新日

2018/7/24

基本情報

出願番号	特願2013-134534
出願日	2013/6/27
出願人	国立研究開発法人物質・材料研究機構
公開番号	特開2015-012049
公開日	2015/1/19
登録番号	特許第6191986号
特許権者	国立研究開発法人物質・材料研究機構
発明の名称	全固体電気二重層を利用した可変電気伝導素子およびそれを用いた電子装置
技術分野	電気・電子
機能	機械・部品の製造、材料・素材の製造
適用製品	電気二重層の形成によって電気抵抗を変化させることが可能な電気伝導素子、及びそのような電気伝導素子を用いた電子装置
目的	固体内を酸化物イオン（Ｏ↑（-２）：酸素イオンとも言う）または水素イオン（Ｈ↑＋：プロトンとも言う）が移動するイオン伝導体材料を用いて、耐久性に優れ、雰囲気の影響が少ない素子であって、全固体型の電気二重層による生じる伝導キャリアによって電気抵抗を変化させることが可能な素子を供給すること。
効果	本発明によれば、ゲート電極への電圧印加によってイオン伝導体と半導体または絶縁体との界面に電荷二重層が形成され、その効果により半導体または絶縁体表面上に構築したドレイン電極とソース電極との間の電気抵抗を変化させることが可能である。しかも、従来の電子素子との混載が容易な全固体型構造であり、耐久性に優れて雰囲気の影響が少ない素子が実現できるようになる。また、電解液を使用しないことにより低温や高温での電解液の凍結や蒸発・沸騰等の問題がないため、広い温度領域で動作させる場合に有利である。
技術概要	酸化物イオンまたは水素イオンが伝導できるイオン伝導体材料層と、 前記イオン伝導体材料層を挟むゲート電極層及び絶縁体あるいは半導体材料と、 前記絶縁体あるいは半導体材料の表面上または内部に設けられたドレイン電極層およびソース電極層と を設けた電気伝導素子であって、 前記イオン伝導体材料層がガドリニウム添加セリア（Ｃｅ↓（１−ｘ）Ｇｄ↓ｘＯ↓（２−ｘ／２）（０＜ｘ≦０．５））またはイットリウム添加安定化ジルコニア（Ｚｒ↓（１−ｘ）Ｙ↓ｘＯ↓（２−ｘ／２） （０＜ｘ≦０．２））からなる、電気伝導素子。
実施実績	【無】
許諾実績	【無】
特許権譲渡	【否】
特許権実施許諾	【可】

登録者情報

登録者名称	国立研究開発法人物質・材料研究機構

その他の情報

関連特許	国内 【無】 国外 【無】