BaNiSn3型結晶構造のSrAuSi3

開放特許情報番号
L2018001522
開放特許情報登録日
2018/7/24
最新更新日
2018/7/24

基本情報

出願番号 特願2013-147442
出願日 2013/7/16
出願人 国立研究開発法人物質・材料研究機構
公開番号 特開2015-020915
公開日 2015/2/2
登録番号 特許第6164732号
特許権者 国立研究開発法人物質・材料研究機構
発明の名称 BaNiSn3型結晶構造のSrAuSi3
技術分野 化学・薬品、無機材料、機械・加工
機能 材料・素材の製造
適用製品 BaNiSn↓3型結晶構造SrAuSi↓3
目的 空間反転対称性のない結晶構造を有する超伝導体において、スピン1重項とスピン3重項の各チャンネルの相互作用が共に引力で同じ程度の強さならば、両者は協調的に強く混合し、それによって超伝導転移温度が著しく上昇する。本発明は、このような異なるパリティの対状態の強い混合が得られる結晶構造が得られる組成を探索して、超伝導転移温度が著しく上昇しうる超伝導体を提供する。 また、上記超伝導体を提供する物質がBaNiSn↓3型結晶構造のSrAuSi↓3であることに鑑み、新規のBaNiSn↓3型結晶構造物質を提供する。
効果 超伝導材料SrAuSi↓3によれば、空間反転対称性のない結晶構造を有する超伝導体が実現される。すなわち、空間反転対称性の破れた超伝導の顕著な特徴は、(1)パリティ混合超伝導の可能性があること、(2)上部臨界磁場がBCS理論では説明できないほど異常に高くなる可能性があること、の2点。後者は、超伝導マグネットなどの産業利用にも繋がる可能性がある。また、特殊な電磁気効果が理論的に示唆されている。例えば、超伝導電流による磁化誘起やスピン分極による超伝導電流誘起など。これらはスピントロニクス応用に繋がる可能性がある。
技術概要
組成が式:
SrAuSi↓3
で表されると共に、その結晶がHermann−Mauguinの記号でI4mmで表され、
体心正方格子の原点と中心にストロンチウムが位置し、
金を中心としたピラミッド構造の5配位多面体の各頂点を第1類型のケイ素(Si(1):ピラミッド頂点)と第2類型のケイ素(Si(2):ピラミッド底面)とで構成することを特徴とするBaNiSn↓3型結晶構造のSrAuSi↓3。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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