積層型集積回路及びその製造方法
- 開放特許情報番号
- L2018001473
- 開放特許情報登録日
- 2018/7/13
- 最新更新日
- 2018/7/13
基本情報
出願番号 | 特願2013-233276 |
---|---|
出願日 | 2013/11/11 |
出願人 | 日本放送協会 |
公開番号 | |
公開日 | 2015/5/18 |
登録番号 | |
特許権者 | 日本放送協会 |
発明の名称 | 積層型集積回路及びその製造方法 |
技術分野 | 電気・電子、情報・通信 |
機能 | 機械・部品の製造 |
適用製品 | 積層型集積回路とその製造方法 |
目的 | 可視光を透過するとともに高速動作が可能な多層積層型の集積回路とその製造方法を提供すること。 |
効果 | 可視光を透過するとともに高速動作が可能であり、透明エレクトロニクスや光学デバイスに適した多層積層型の集積回路が実現できる。さらに、透明性が高く意匠性に優れた機器を作製できる。また、光電変換層等の脆弱な機能層にダメージを与えずに、高速、高感度な多層積層型の集積回路が作製可能である。 |
技術概要 |
単結晶シリコン層の半導体島領域を支持する第1の絶縁層(20)と、
前記単結晶シリコン層からなるMOSトランジスタで構成された回路部(61)と、 前記回路部(61)と前記第1の絶縁層(20)を覆う第2の絶縁層(22)と、 前記第2の絶縁層(22)上に設けられた複数の画素電極(43)と、 前記画素電極(43)を覆い全体を一体化した光電変換膜又は発光膜(50〜53)と、 前記光電変換膜又は発光膜(50〜53)上に設けられた対向電極(44)と、 を備え、該回路部以外の単結晶シリコン層が除去されてなる単層集積回路を、前記第1の絶縁層(20)を基板側として、基板上に接着層(26)を介して複数層積層してなる積層型集積回路であって、 前記単層集積回路の前記回路部(61)以外の領域は、可視光が透過し、 各単層集積回路の前記回路部(61)と前記画素電極(43)は、積層方向に位置合わせされており、 各単層集積回路の前記光電変換膜又は発光膜(50〜53)は、互いに異なる波長域に吸収特性又は発光特性を有することを特徴とする積層型集積回路。 |
実施実績 | 【無】 |
許諾実績 | 【無】 |
特許権譲渡 | 【否】 |
特許権実施許諾 | 【可】 |
登録者情報
登録者名称 | |
---|---|
その他の情報
関連特許 |
|
---|