薄膜トランジスタ及びその製造方法
- 開放特許情報番号
- L2018001389
- 開放特許情報登録日
- 2018/6/29
- 最新更新日
- 2018/6/29
基本情報
| 出願番号 | 特願2013-243413 |
|---|---|
| 出願日 | 2013/11/26 |
| 出願人 | 国立研究開発法人物質・材料研究機構 |
| 公開番号 | |
| 公開日 | 2015/6/4 |
| 登録番号 | |
| 特許権者 | 国立研究開発法人物質・材料研究機構 |
| 発明の名称 | 薄膜トランジスタ及びその製造方法 |
| 技術分野 | 電気・電子 |
| 機能 | 材料・素材の製造 |
| 適用製品 | 薄膜トランジスタ及びその製造方法 |
| 目的 | ソース・ドレイン電極と金属酸化物の半導体層の間にアルミニウム元素及び／またはタンタル元素を含む金属酸化物のバリア層を挿入することで、接触抵抗が低減できて高い飽和移動度及び小さなサブスレッショルド電圧の高性能なトランジスタ特性を有する薄膜トランジスタ及びその製造方法を提供する。 |
| 効果 | ソース電極とドレイン電極と半導体層の間にアルミニウム元素及び／またはタンタル元素を含む金属酸化物のバリア層を設けることで、接触抵抗が低減できて高い飽和移動度及び小さなサブスレッショルド電圧の高性能なトランジスタ特性を有する薄膜トランジスタを提供することができる。 |
技術概要) |
ソース電極及びドレイン電極と、
インジウムを含む金属酸化物半導体層と、 前記ソース電極及び前記ドレイン電極と前記金属酸化物半導体層との間に設けられ、酸化タンタルからなるバリア層と、 前記ソース電極と前記ドレイン電極との間のチャネルに対応させて設けられたゲート電極と、 前記ゲート電極と前記金属酸化物半導体層との間に設けられた絶縁体層と を有する薄膜トランジスタ。 |
| 実施実績 | 【無】 |
| 許諾実績 | 【無】 |
| 特許権譲渡 | 【否】 |
| 特許権実施許諾 | 【可】 |
登録者情報
| 登録者名称 | |
|---|---|
その他の情報
| 関連特許 |
|
|---|