MgB2超伝導体の製造方法およびMgB2超伝導体

開放特許情報番号
L2018001387
開放特許情報登録日
2018/6/29
最新更新日
2018/6/29

基本情報

出願番号 特願2013-259711
出願日 2013/12/17
出願人 国立研究開発法人物質・材料研究機構
公開番号 特開2015-118748
公開日 2015/6/25
登録番号 特許第6161034号
特許権者 国立研究開発法人物質・材料研究機構
発明の名称 MgB2超伝導体の製造方法およびMgB2超伝導体
技術分野 電気・電子、化学・薬品、無機材料
機能 材料・素材の製造
適用製品 MgB↓2超伝導体の製造方法およびMgB↓2超伝導体
目的 MgB↓2超伝導線材について均一性の優れた多環芳香族炭化水素(ナノグラフェン)添加を実現することができ、高い臨界電流密度(Jc)特性ならびに臨界電流密度(Jc)のバラツキの小さなMgB↓2超伝導線材を提供する。
効果 本発明のMgB↓2超伝導体の製造方法によれば、多環芳香族炭化水素をコートしたB粉末をPIT法の原料として用いることで均一なBサイトのC置換が起こり、高いJcとJcの均一性に優れたMgB↓2線材を得ることができる。
技術概要
Mg粉末またはMgH↓2粉末とB粉末との混合物を加圧成形して熱処理するMgB↓2超伝導体の製造方法において、
前記B粉末に多環芳香族炭化水素を添加すると共に、この添加時には前記多環芳香族炭化水素の融点以上に加熱して、前記B粉末の表面を前記多環芳香族炭化水素で覆う工程と、
前記多環芳香族炭化水素で表面が覆われた前記B粉末を、前記Mg粉末またはMgH↓2粉末と混合する工程と、
を有することを特徴とするMgB↓2超伝導体の製造方法。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
Copyright © 2018 INPIT