| 出願番号 |
特願2013-259711 |
| 出願日 |
2013/12/17 |
| 出願人 |
国立研究開発法人物質・材料研究機構 |
| 公開番号 |
特開2015-118748 |
| 公開日 |
2015/6/25 |
| 登録番号 |
特許第6161034号 |
| 特許権者 |
国立研究開発法人物質・材料研究機構 |
| 発明の名称 |
ＭｇＢ２超伝導体の製造方法およびＭｇＢ２超伝導体 |
| 技術分野 |
電気・電子、化学・薬品、無機材料 |
| 機能 |
材料・素材の製造 |
| 適用製品 |
ＭｇＢ↓２超伝導体の製造方法およびＭｇＢ↓２超伝導体 |
| 目的 |
ＭｇＢ↓２超伝導線材について均一性の優れた多環芳香族炭化水素（ナノグラフェン）添加を実現することができ、高い臨界電流密度（Ｊｃ）特性ならびに臨界電流密度（Ｊｃ）のバラツキの小さなＭｇＢ↓２超伝導線材を提供する。 |
| 効果 |
本発明のＭｇＢ↓２超伝導体の製造方法によれば、多環芳香族炭化水素をコートしたＢ粉末をＰＩＴ法の原料として用いることで均一なＢサイトのＣ置換が起こり、高いＪｃとＪｃの均一性に優れたＭｇＢ↓２線材を得ることができる。 |
技術概要
 |
Ｍｇ粉末またはＭｇＨ↓２粉末とＢ粉末との混合物を加圧成形して熱処理するＭｇＢ↓２超伝導体の製造方法において、
前記Ｂ粉末に多環芳香族炭化水素を添加すると共に、この添加時には前記多環芳香族炭化水素の融点以上に加熱して、前記Ｂ粉末の表面を前記多環芳香族炭化水素で覆う工程と、
前記多環芳香族炭化水素で表面が覆われた前記Ｂ粉末を、前記Ｍｇ粉末またはＭｇＨ↓２粉末と混合する工程と、
を有することを特徴とするＭｇＢ↓２超伝導体の製造方法。 |
| 実施実績 |
【無】 |
| 許諾実績 |
【無】 |
| 特許権譲渡 |
【否】
|
| 特許権実施許諾 |
【可】
|
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