出願番号 |
特願2013-259711 |
出願日 |
2013/12/17 |
出願人 |
国立研究開発法人物質・材料研究機構 |
公開番号 |
特開2015-118748 |
公開日 |
2015/6/25 |
登録番号 |
特許第6161034号 |
特許権者 |
国立研究開発法人物質・材料研究機構 |
発明の名称 |
MgB2超伝導体の製造方法およびMgB2超伝導体 |
技術分野 |
電気・電子、化学・薬品、無機材料 |
機能 |
材料・素材の製造 |
適用製品 |
MgB↓2超伝導体の製造方法およびMgB↓2超伝導体 |
目的 |
MgB↓2超伝導線材について均一性の優れた多環芳香族炭化水素(ナノグラフェン)添加を実現することができ、高い臨界電流密度(Jc)特性ならびに臨界電流密度(Jc)のバラツキの小さなMgB↓2超伝導線材を提供する。 |
効果 |
本発明のMgB↓2超伝導体の製造方法によれば、多環芳香族炭化水素をコートしたB粉末をPIT法の原料として用いることで均一なBサイトのC置換が起こり、高いJcとJcの均一性に優れたMgB↓2線材を得ることができる。 |
技術概要
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Mg粉末またはMgH↓2粉末とB粉末との混合物を加圧成形して熱処理するMgB↓2超伝導体の製造方法において、
前記B粉末に多環芳香族炭化水素を添加すると共に、この添加時には前記多環芳香族炭化水素の融点以上に加熱して、前記B粉末の表面を前記多環芳香族炭化水素で覆う工程と、
前記多環芳香族炭化水素で表面が覆われた前記B粉末を、前記Mg粉末またはMgH↓2粉末と混合する工程と、
を有することを特徴とするMgB↓2超伝導体の製造方法。 |
実施実績 |
【無】 |
許諾実績 |
【無】 |
特許権譲渡 |
【否】
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特許権実施許諾 |
【可】
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