Pbフリーはんだ_6_半導体装置、及び半導体装置の製造方法_2017年度WIPO GREEN DB登録済

開放特許情報番号
L2018001346
開放特許情報登録日
2018/6/27
最新更新日
2018/6/27

基本情報

出願番号 特願2007-262334
出願日 2007/10/5
出願人 富士通株式会社
公開番号 特開2009-094224
公開日 2009/4/30
登録番号 特許第4547411号
特許権者 富士通株式会社
発明の名称 半導体装置、及び半導体装置の製造方法
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造
適用製品 回路基板、半導体装置、及び半導体装置の製造方法
目的 鉛(Pb)フリー半田から成る半田ボールが接続される回路基板、電極と前記電極上に形成された鉛(Pb)フリー半田から成る半田ボールを有する半導体装置、及び当該半導体装置の製造方法であって、鉛(Pb)フリー半田から成る半田ボールと電極との接合強度(密着強度)を向上させて実装の信頼性を向上させることができる態様を提供すること。
効果 鉛(Pb)フリー半田から成る半田ボールが接続される回路基板、電極と前記電極上に形成された鉛(Pb)フリー半田から成る半田ボールを有する半導体装置、及び当該半導体装置の製造方法であって、鉛(Pb)フリー半田から成る半田ボールと電極との接合強度(密着強度)を向上させて実装の信頼性を向上させることができる態様を提供することができる。
技術概要
一方の面には半導体素子が実装されている基板の他方の面上に形成された第1の電極と、
前記第1の電極上に形成された錫(Sn)と銅(Cu)とを含む鉛(Pb)フリー半田からなる半田ボールと、を有し、
前記第1の電極は、
銅(Cu)を主成分とする第1の層と、
前記第1の層上に形成されたニッケル(Ni)を主成分とする第2の層と、
前記第2の層上に形成された錫ニッケル(Sn−Ni)合金を主成分とする第3の層と、
前記第3の層と前記半田ボールとの間に形成された錫ニッケル銅(Sn−Ni−Cu)合金と、
を有し、前記半田ボールを介して、回路基板と電気的に接続されてなることを特徴とする半導体装置。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

アピール情報

アピール内容 ファミリ:韓国_2008-0095217, 台湾_97135454, 米国_14/106041, 【SDGs目標】 12.つくる責任 つかう責任

登録者情報

登録者名称 富士通株式会社

その他の情報

関連特許
国内 【有】
国外 【有】   
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