GaN−HEMT ACアダプター_1_電源回路および力率改善回路_2017年度WIPO GREEN DB登録済

開放特許情報番号
L2018001341
開放特許情報登録日
2018/6/27
最新更新日
2018/6/27

基本情報

出願番号 特願2014-124922
出願日 2014/6/18
出願人 富士通株式会社
公開番号 特開2016-005379
公開日 2016/1/12
発明の名称 電源回路および力率改善回路
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造
適用製品 電源回路および力率改善回路
目的 電源回路の回路規模を縮小する。
効果 開示の電源回路および力率改善回路によれば、回路規模を縮小できる。
技術概要
電源回路1は、スイッチ素子2と制御部3を備える。制御部3は、スイッチ素子2の動作時に発生する逆起電力を光エネルギに変換し、その光エネルギを電気信号に変換する。そして、制御部3は、変換した電気信号にもとづいて、スイッチ素子2を駆動する。これにより、サージエネルギの回生を共振で行う場合と比べてインダクタのような共振素子が不要になり、回路規模を縮小できる。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

アピール情報

アピール内容 ファミリ:中国_201510334001.4, 台湾_104116671, 米国_14/723849, 【SDGs目標】 7.エネルギーをみんなに そしてクリーンに

登録者情報

登録者名称 富士通株式会社

その他の情報

関連特許
国内 【有】
国外 【有】   
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