X線イメージングの方法及び装置

開放特許情報番号
L2018001270
開放特許情報登録日
2018/6/15
最新更新日
2018/6/15

基本情報

出願番号 特願2015-048127
出願日 2011/2/14
出願人 国立研究開発法人物質・材料研究機構
公開番号 特開2015-143700
公開日 2015/8/6
登録番号 特許第5935231号
特許権者 国立研究開発法人物質・材料研究機構
発明の名称 X線イメージングの方法及び装置
技術分野 情報・通信
機能 機械・部品の製造
適用製品 X線反射率法に画像情報を付与する方法及びその装置
目的 X線反射率法において、均一ではない、面内の場所ごとに異なる構造を持つ薄膜・多層膜について、表面や界面、特定深さ位置における2次元の電子密度分布を画像化する方法及びその装置を提供すること。
効果 本発明により、従来のX線反射率法によっては分析、評価ができなかった、均一ではない、面内の場所ごとに異なる構造を持つ薄膜・多層膜の分析、評価を行う方法及び装置が提供される。
技術概要
物質の特定深さの電子密度について面内の不均一分布をX線反射率法により取得し画像化する方法であって、
一方向に長く他方向には短い線状の単色X線ビームの全反射現象が生じている条件で、試料の一次元の強度プロファイルを測定すると共に、前記試料の面内回転を0度から180度まで細かい刻みで行い、その都度前記一次元の強度プロファイルの測定を繰り返して、前記試料で観測される反射スポット内部に観測されるX線強度プロファイルデータを多数取得し、
当該X線強度プロファイルデータを用いたフィルター補正逆投影法による再構成を行うと共に、
前記試料は金属部分と基板部分を有し、前記試料と入射X線の間のなす角を前記金属部分と前記基板部分のそれぞれの臨界角の中間に選ぶことを特徴とする、物質の特定深さの電子密度について面内の不均一分布を画像化する方法。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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