薄膜トランジスタおよびその製造方法

開放特許情報番号

L2018001269

開放特許情報登録日

2018/6/15

最新更新日

2018/6/15

基本情報

出願番号	特願2014-016273
出願日	2014/1/31
出願人	国立研究開発法人物質・材料研究機構
公開番号	特開2015-144154
公開日	2015/8/6
登録番号	特許第6252903号
特許権者	国立研究開発法人物質・材料研究機構
発明の名称	薄膜トランジスタおよびその製造方法
技術分野	電気・電子
機能	材料・素材の製造
適用製品	薄膜トランジスタおよびその製造方法
目的	先行特許出願で示した以外の組成条件で解決する薄膜トランジスタ及びその製造方法を提供すること。
効果	本発明によれば、酸素欠陥が導入されることで電子キャリアを生成できる金属酸化物として酸素のかい離エネルギーが５２８ｋＪ／ｍｏｌと大きな酸化錫を用いた場合、これに添加する金属酸化物が、当該添加する金属酸化物についての酸素のかい離エネルギーが酸化錫についての酸素のかい離エネルギーより大きく、かつ酸化錫についての酸素のかい離エネルギーとの差が２００ｋＪ／ｍｏｌ未満であるようにした複合金属酸化物の半導体層を用いることで、トランジスタ特性に優れた薄膜トランジスタを提供することができる。
技術概要	ソース電極およびドレイン電極と、 前記ソース電極および前記ドレイン電極に接して設けられた半導体層と、 前記ソース電極および前記ドレイン電極の間のチャネルに対応させて設けられたゲート電極と、 前記ゲート電極と前記半導体層との間に設けられた絶縁体層と を設け、 前記半導体層が、酸化錫に、酸素のかい離エネルギーが酸化錫より大きくかつ酸化錫の酸素のかい離エネルギーとの差が２００ｋＪ／ｍｏｌ未満である金属酸化物を添加した複合金属酸化物であり、 前記半導体層は、酸素の解離エネルギーが酸化錫よりも小さい追加の酸化物を前記金属酸化物よりも少ない量だけ含む、薄膜トランジスタ。
実施実績	【無】
許諾実績	【無】
特許権譲渡	【否】
特許権実施許諾	【可】

登録者情報

登録者名称	国立研究開発法人物質・材料研究機構

その他の情報

関連特許	国内 【無】 国外 【無】