酸化物薄膜トランジスタおよびその製造方法

開放特許情報番号
L2018001268
開放特許情報登録日
2018/6/15
最新更新日
2018/6/15

基本情報

出願番号 特願2014-016630
出願日 2014/1/31
出願人 国立研究開発法人物質・材料研究機構
公開番号 特開2015-144171
公開日 2015/8/6
登録番号 特許第6261125号
特許権者 国立研究開発法人物質・材料研究機構
発明の名称 酸化物薄膜トランジスタおよびその製造方法
技術分野 電気・電子
機能 材料・素材の製造
適用製品 酸化物薄膜トランジスタおよびその製造方法
目的 半導体層(チャネル層)に酸素欠損が導入されることで電子キャリアを生成できる第1金属酸化物に、酸素のかい離エネルギーが前記第1金属酸化物の酸素のかい離エネルギーよりも200kJ/mol以上大きな第2酸化物を添加した複合金属酸化物を用いた薄膜トランジスタであって、光照射による特性劣化の抑制と、低コンタクト抵抗、及び優れたゲート制御性とを両立した薄膜トランジスタおよびその製造方法を提供すること。
効果 本発明によれば、光照射によるしきい値電流のシフト等の特性劣化が抑制され、ソース電極及び/又はドレイン電極と半導体層との界面におけるコンタクト抵抗が低く、かつ電子移動度が高くゲート制御性に優れるという、実用上好ましい特性を高いレベルで兼ね備えた薄膜トランジスタ、およびその製造方法が実現される。
技術概要
ソース電極およびドレイン電極と、
前記ソース電極および前記ドレイン電極に接して設けられた半導体層と、
前記ソース電極および前記ドレイン電極の間のチャネルに対応させて設けられたゲート電極と、
前記ゲート電極と前記半導体層との間に設けられた絶縁体層と
を有する薄膜トランジスタであって、
前記半導体層が、酸素欠損が導入されることで電子キャリアを生成できる第1金属酸化物に、酸素のかい離エネルギーが前記第1金属酸化物の酸素のかい離エネルギーよりも200kJ/mol以上大きな第2酸化物(XOx)を添加した複合金属酸化物で形成され、
前記第2酸化物を構成する元素Xのうち、ケイ素、タンタル、ジルコニウム、ハフニウム、アルミニウム、イットリウム及び希土類元素からなる群より選ばれる少なくとも一種の元素X1の濃度が、前記半導体層の厚み方向の中央部において極大値を示す、上記薄膜トランジスタ。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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