適用製品
酸化物薄膜トランジスタおよびその製造方法
目的
半導体層（チャネル層）に酸素欠損が導入されることで電子キャリアを生成できる第１金属酸化物に、酸素のかい離エネルギーが前記第１金属酸化物の酸素のかい離エネルギーよりも２００ｋＪ／ｍｏｌ以上大きな第２酸化物を添加した複合金属酸化物を用いた薄膜トランジスタであって、光照射による特性劣化の抑制と、低コンタクト抵抗、及び優れたゲート制御性とを両立した薄膜トランジスタおよびその製造方法を提供すること。
効果
本発明によれば、光照射によるしきい値電流のシフト等の特性劣化が抑制され、ソース電極及び／又はドレイン電極と半導体層との界面におけるコンタクト抵抗が低く、かつ電子移動度が高くゲート制御性に優れるという、実用上好ましい特性を高いレベルで兼ね備えた薄膜トランジスタ、およびその製造方法が実現される。
技術概要
ソース電極およびドレイン電極と、
前記ソース電極および前記ドレイン電極に接して設けられた半導体層と、
前記ソース電極および前記ドレイン電極の間のチャネルに対応させて設けられたゲート電極と、
前記ゲート電極と前記半導体層との間に設けられた絶縁体層と
を有する薄膜トランジスタであって、
前記半導体層が、酸素欠損が導入されることで電子キャリアを生成できる第１金属酸化物に、酸素のかい離エネルギーが前記第１金属酸化物の酸素のかい離エネルギーよりも２００ｋＪ／ｍｏｌ以上大きな第２酸化物（ＸＯｘ）を添加した複合金属酸化物で形成され、
前記第２酸化物を構成する元素Ｘのうち、ケイ素、タンタル、ジルコニウム、ハフニウム、アルミニウム、イットリウム及び希土類元素からなる群より選ばれる少なくとも一種の元素Ｘ１の濃度が、前記半導体層の厚み方向の中央部において極大値を示す、上記薄膜トランジスタ。
基本情報
開放特許情報
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登録者情報
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