| 出願番号 |
特願2014-016631 |
| 出願日 |
2014/1/31 |
| 出願人 |
国立研究開発法人物質・材料研究機構 |
| 公開番号 |
特開2015-144172 |
| 公開日 |
2015/8/6 |
| 登録番号 |
特許第6252904号 |
| 特許権者 |
国立研究開発法人物質・材料研究機構 |
| 発明の名称 |
酸化物半導体およびその製法 |
| 技術分野 |
電気・電子 |
| 機能 |
材料・素材の製造 |
| 適用製品 |
半導体装置 |
| 目的 |
発光層からの発光で誘発される「しきい値電圧のシフト」が十分に抑制できる酸化物半導体及びその製法、並びにそれを用いる薄膜トランジスタおよび半導体装置を提供すること。 |
| 効果 |
本発明によれば、発光層からの発光で誘発される「しきい値電圧のシフト」が十分に抑制できる酸化物半導体を提供することができる。そのため、この酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタやこの薄膜トランジスタを用いた有機ＥＬディスプレイや液晶ディスプレイは、発光層からの発光に対して劣化しにくいという高い信頼性を得ることができる。 |
技術概要
 |
酸素欠損が導入されることにより電子キャリアを生成できる金属酸化物からなる第１金属酸化物と、酸素のかい離エネルギーが前記第１金属酸化物の酸素のかい離エネルギーよりも２００ｋＪ／ｍｏｌ以上大きな第２酸化物とを含んでなる酸化物半導体であって、前記第１金属酸化物の金属が、ＯＨ基、Ｈ基、Ｆ基、Ｃｌ基、又はＢ基からなる群から選択される少なくとも１つとの結合を有し、前記第２酸化物が、炭素（Ｃ）を含む酸化物である、前記酸化物半導体。 |
| 実施実績 |
【無】 |
| 許諾実績 |
【無】 |
| 特許権譲渡 |
【否】
|
| 特許権実施許諾 |
【可】
|
)