酸化物半導体およびその製法

開放特許情報番号
L2018001267
開放特許情報登録日
2018/6/15
最新更新日
2018/6/15

基本情報

出願番号 特願2014-016631
出願日 2014/1/31
出願人 国立研究開発法人物質・材料研究機構
公開番号 特開2015-144172
公開日 2015/8/6
登録番号 特許第6252904号
特許権者 国立研究開発法人物質・材料研究機構
発明の名称 酸化物半導体およびその製法
技術分野 電気・電子
機能 材料・素材の製造
適用製品 半導体装置
目的 発光層からの発光で誘発される「しきい値電圧のシフト」が十分に抑制できる酸化物半導体及びその製法、並びにそれを用いる薄膜トランジスタおよび半導体装置を提供すること。
効果 本発明によれば、発光層からの発光で誘発される「しきい値電圧のシフト」が十分に抑制できる酸化物半導体を提供することができる。そのため、この酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタやこの薄膜トランジスタを用いた有機ELディスプレイや液晶ディスプレイは、発光層からの発光に対して劣化しにくいという高い信頼性を得ることができる。
技術概要
酸素欠損が導入されることにより電子キャリアを生成できる金属酸化物からなる第1金属酸化物と、酸素のかい離エネルギーが前記第1金属酸化物の酸素のかい離エネルギーよりも200kJ/mol以上大きな第2酸化物とを含んでなる酸化物半導体であって、前記第1金属酸化物の金属が、OH基、H基、F基、Cl基、又はB基からなる群から選択される少なくとも1つとの結合を有し、前記第2酸化物が、炭素(C)を含む酸化物である、前記酸化物半導体。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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