薄膜トランジスタの構造、薄膜トランジスタの製造方法および半導体装置

開放特許情報番号
L2018001266
開放特許情報登録日
2018/6/15
最新更新日
2018/6/15

基本情報

出願番号 特願2014-016632
出願日 2014/1/31
出願人 国立研究開発法人物質・材料研究機構
公開番号 特開2015-144173
公開日 2015/8/6
登録番号 特許第6241848号
特許権者 国立研究開発法人物質・材料研究機構
発明の名称 薄膜トランジスタの構造、薄膜トランジスタの製造方法および半導体装置
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造
適用製品 半導体装置
目的 基板からの半導体層への不純物の拡散防止性に優れ、それによる特性劣化が抑制された薄膜トランジスタを提供すること。
効果 本願発明の態様によれば、Hfおよび希土類元素、特にLaを含む金属酸窒化物をゲート絶縁膜に用いることにより、特性変化が抑制された薄膜トランジスタを提供することができる。また、Hfおよび希土類元素、特にLaを含む金属酸窒化物をゲート絶縁膜に用いることにより、特性変化が抑制された薄膜トランジスタの製造方法を提供することができる。
技術概要
基板と、
前記基板上に設けられたゲート電極と、
前記ゲート電極上に設けられた絶縁体層と、
前記絶縁体上に設けられた半導体層と、
前記半導体層上に設けられたソース電極およびドレイン電極と
を備え、
前記ゲート電極は前記ソース電極および前記ドレイン電極の間のチャネルに対応させて設けられており、
前記絶縁体層の形成材料が、Hfおよび希土類元素を含む金属酸窒化物を含む
薄膜トランジスタ。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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