固定電荷を内部に誘起したゲート絶縁膜

開放特許情報番号

L2018001265

開放特許情報登録日

2018/6/15

最新更新日

2018/6/15

基本情報

出願番号	特願2014-016633
出願日	2014/1/31
出願人	国立研究開発法人物質・材料研究機構
公開番号	特開2015-144174
公開日	2015/8/6
登録番号	特許第6273606号
特許権者	国立研究開発法人物質・材料研究機構
発明の名称	固定電荷を内部に誘起したゲート絶縁膜
技術分野	電気・電子
機能	材料・素材の製造
適用製品	半導体装置
目的	Ｉｎ−Ｚｎ−Ｏ系の金属酸化物やＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系の金属酸化物、あるいは、上記のＩｎ−Ｘ−Ｏ系の金属酸化物を半導体として用いる薄膜トランジスタにおいて、そのしきい値電圧を効率よく制御する構成を提供すること。
効果	固定電荷の深さ位置を、ゲート絶縁膜中の共有結合性酸化物膜とイオン結合性酸化物層との界面の位置として設計・作製することができ、固定電荷を十分に制御された態様で誘起することができるため、金属酸化物半導体への影響を十分考慮した薄膜トランジスタを作製することができる。また、共有結合性酸化物膜とイオン結合性酸化物層との組み合わせにより、負の固定電荷のみならず、正の固定電荷を誘起することができ、しきい値電圧の制御の方向を自由に選択することができる。
技術概要	ゲート電極と、 前記ゲート電極上のゲート絶縁層であって、 共有結合性酸化物膜と、 イオン結合性酸化物と を含む、ゲート絶縁層と、 前記ゲート絶縁層上の半導体層であって、 インジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）、亜鉛（Ｚｎ）、および錫（Ｓｎ）からなる群から選択された少なくとも一つの金属の酸化物と、 ジルコニウム（Ｚｒ）、ケイ素（Ｓｉ）、チタン（Ｔｉ）、タングステン（Ｗ）、タンタル（Ｔａ）、ハフニウム（Ｈｆ）、スカンジウム（Ｓｃ）、イットリウム（Ｙ）、ランタン（Ｌａ）、プラセオジム（Ｐｒ）、ネオジム（Ｎｄ）、ガドリニウム（Ｇｄ）、それ以外の希土類元素、アルミニウム（Ａｌ）、ボロン（Ｂ）、および炭素（Ｃ）からなる群から選択された少なくとも一つの元素の酸化物と を含む、半導体層と、 前記半導体層に接して設けられたソース電極およびドレイン電極と、 を含む、薄膜トランジスタであって、 前記共有結合性酸化物膜がＳｉＯ↓２を含み、 前記イオン結合性酸化物が（Ｔａ／Ｎｂ）Ｏ↓ｘを含む、薄膜トランジスタ。
実施実績	【無】
許諾実績	【無】
特許権譲渡	【否】
特許権実施許諾	【可】

登録者情報

登録者名称	国立研究開発法人物質・材料研究機構

その他の情報

関連特許	国内 【無】 国外 【無】