薄膜トランジスタおよびその製造方法

開放特許情報番号

L2018001264

開放特許情報登録日

2018/6/15

最新更新日

2018/6/15

基本情報

出願番号	特願2014-016634
出願日	2014/1/31
出願人	国立研究開発法人物質・材料研究機構
公開番号	特開2015-144175
公開日	2015/8/6
登録番号	特許第6260992号
特許権者	国立研究開発法人物質・材料研究機構
発明の名称	薄膜トランジスタおよびその製造方法
技術分野	電気・電子、情報・通信
機能	材料・素材の製造
適用製品	薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタの製造方法および半導体装置
目的	チャネルへの可視光スペクトルの光の照射をブロッキングするチャネルカバー層を備えることで、液晶ディスプレイや有機ＥＬディスプレイ等からの光照射による、半導体層を形成する金属酸化物の特性変化を抑制することができる薄膜トランジスタとその製造方法を提供する。また、このような薄膜トランジスタを有する半導体装置を提供する。
効果	本願発明によれば、チャネルへの可視光スペクトルの光の照射をブロッキングするチャネルカバー層を備えることで、液晶ディスプレイや有機ＥＬディスプレイ等からの光照射による、半導体層を形成する金属酸化物の特性変化を抑制することができる薄膜トランジスタ及びその製造方法を提供することができる。また、このような薄膜トランジスタを有する半導体装置を提供することができる。
技術概要	ゲート電極と、 前記ゲート電極の上面を覆って設けられた絶縁体層と、 前記絶縁体の上面に設けられた半導体層と、 前記半導体層の上面に設けられたチャネルカバー層と、 前記半導体層に接して設けられたソース電極およびドレイン電極と、を備え、 前記ゲート電極は、前記ソース電極および前記ドレイン電極の間の前記半導体層の中のチャネルに対応させて設けられ、 前記チャネルカバー層は、膜厚が５０ｎｍ以上でかつ窒素の含有量が５０質量％以上７５質量％以下であるＴａＯＮあるいはＷＯＮから構成され、前記チャネルへの可視光スペクトルの光の照射をブロッキングする、 薄膜トランジスタ。
実施実績	【無】
許諾実績	【無】
特許権譲渡	【否】
特許権実施許諾	【可】

登録者情報

登録者名称	国立研究開発法人物質・材料研究機構

その他の情報

関連特許	国内 【無】 国外 【無】