Co(OH)2垂直配向グラフェン/CNT複合体、その製造方法、Co(OH)2垂直配向グラフェン/CNT複合体電極及びCo(OH)2垂直配向グラフェン/CNT複合体キャパシター

開放特許情報番号
L2018001257
開放特許情報登録日
2018/7/24
最新更新日
2018/7/24

基本情報

出願番号 特願2013-148218
出願日 2013/7/17
出願人 国立研究開発法人物質・材料研究機構
公開番号 特開2015-020920
公開日 2015/2/2
登録番号 特許第6057293号
特許権者 国立研究開発法人物質・材料研究機構
発明の名称 Co(OH)2垂直配向グラフェン/CNT複合体、その製造方法、Co(OH)2垂直配向グラフェン/CNT複合体電極及びCo(OH)2垂直配向グラフェン/CNT複合体キャパシター
技術分野 化学・薬品、無機材料、電気・電子
機能 材料・素材の製造
適用製品 Co(OH)↓2垂直配向グラフェン/カーボンナノチューブ複合体、その製造方法、Co(OH)↓2垂直配向グラフェン/カーボンナノチューブ複合体電極及びCo(OH)↓2垂直配向グラフェン/カーボンナノチューブ複合体キャパシター
目的 比容量が高く、サイクル寿命の長い、Co(OH)↓2垂直配向グラフェン/CNT複合体、その製造方法、Co(OH)↓2垂直配向グラフェン/CNT複合体電極及びCo(OH)↓2垂直配向グラフェン/CNT複合体キャパシターを提供する。
効果 Co(OH)↓2垂直配向グラフェン/CNT複合体は、グラフェンの表面に高密度で板状結晶を成長させ、集積してもグラフェンの表面活性を低下させないようにでき、比容量が高く、サイクル寿命の長いキャパシターを構成可能な電極材料にできる。Co(OH)↓2垂直配向グラフェン/CNT複合体の製造方法は、容易に、短時間で、グラフェンの表面に高密度で板状結晶を成長させ、比容量が高く、サイクル寿命の長いキャパシターを構成可能な電極材料に用いることができるCo(OH)↓2垂直配向グラフェン/CNT複合体を作成できる。
技術概要
表面に結晶成長させたCo(OH)↓2の板状結晶を有するグラフェンとカーボンナノチューブとの複合体からなることを特徴とするCo(OH)↓2垂直配向グラフェン/CNT複合体。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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