デバイス作製用基板、その製造方法及び近赤外線発光デバイス

開放特許情報番号
L2018001250
開放特許情報登録日
2018/6/15
最新更新日
2018/6/15

基本情報

出願番号 特願2014-037437
出願日 2014/2/27
出願人 国立研究開発法人物質・材料研究機構
公開番号 特開2015-162605
公開日 2015/9/7
登録番号 特許第6241939号
特許権者 国立研究開発法人物質・材料研究機構
発明の名称 デバイス作製用基板、その製造方法及び近赤外線発光デバイス
技術分野 電気・電子
機能 材料・素材の製造、機械・部品の製造
適用製品 デバイス作製用基板、その製造方法及び近赤外線発光デバイス
目的 格子歪みがなく、平坦な一面を有するデバイス作製用基板、その簡便な製造方法、上記構造を用いた近赤外線発光デバイスを提供する。
効果 格子緩和層が被格子緩和層の格子定数の歪みを無くし、被格子緩和層の露出面を二乗平均粗さ0.65nm以下で、格子定数の歪みの無い面とすることができ、膜厚を精密に限定して積層膜を形成することができ、所望の量子井戸構造を形成できる。これにより、優れた近赤外線発光デバイスを構築できる。
技術概要
GaAs基板又はGaAs基板に形成したGaAsバッファ層の(111)A面に格子緩和層と被格子緩和層をこの順序で積層したデバイス作製用基板。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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