水素拡散障壁を備える半導体デバイス及びその製作方法

開放特許情報番号
L2018001249
開放特許情報登録日
2018/6/15
最新更新日
2018/6/15

基本情報

出願番号 特願2014-037643
出願日 2014/2/28
出願人 国立研究開発法人物質・材料研究機構
公開番号 特開2015-162615
公開日 2015/9/7
登録番号 特許第6292507号
特許権者 国立研究開発法人物質・材料研究機構
発明の名称 水素拡散障壁を備える半導体デバイス及びその製作方法
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造
適用製品 半導体デバイス
目的 下地層、例えば底部の窒化物層及び酸化物層への水素の拡散を防止できる優れた水素障壁特性を有する水素拡散障壁を備えた電荷トラップ半導体メモリデバイス等の半導体デバイスを提供する。
効果 高性能で、製作がより容易な、新規の水素拡散障壁が提供される。
技術概要
厚さが1〜3nmの層の形状で形成されるとともに、酸化アルミニウム層と窒化シリコン層との間に挟まれており、SiAlONを含有する水素拡散障壁を備えた半導体デバイス。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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