無欠陥領域を有するエピタキシャル膜を基板上に形成する方法及び無欠陥領域を有するエピタキシャル膜付き基板

開放特許情報番号
L2018001248
開放特許情報登録日
2018/6/15
最新更新日
2018/6/15

基本情報

出願番号 特願2014-039113
出願日 2014/2/28
出願人 国立研究開発法人物質・材料研究機構
公開番号 特開2015-162669
公開日 2015/9/7
登録番号 特許第6245609号
特許権者 国立研究開発法人物質・材料研究機構
発明の名称 無欠陥領域を有するエピタキシャル膜を基板上に形成する方法及び無欠陥領域を有するエピタキシャル膜付き基板
技術分野 電気・電子、無機材料
機能 材料・素材の製造
適用製品 無欠陥のエピタキシャル膜の形成方法
目的 所望の領域に欠陥が現れないようにしたエピタキシャル膜を得る。
効果 金属などの基板上に基板よりもヤング率の大きな膜をエピタキシャル成長するに当たって、あらかじめ設定したこの膜の領域内部に欠陥が発生しないようにすることができる。これにより、例えばこのようなエピタキシャル成長した膜上にデバイスを形成する際、素子中の重要な要素のレイアウトの都合上、欠陥が発生してはいけない一つまたはより多くの任意の領域を無欠陥領域としてあらかじめ設定してからエピタキシャル成長を行うことによって、素子の形成に利用しやすくまた作成した素子の収率が高いエピタキシャル膜を提供することができる。
技術概要
光学顕微鏡で観察した場合に欠陥を有しない領域を有するエピタキシャル膜を基板上に形成する方法であって、
表面に溝が形成された基板上に前記基板よりもヤング率が大きい膜をエピタキシャル成長する段階を有し、
前記基板は、金属または合金の単結晶であり、
前記光学顕微鏡で観察した場合に欠陥を有しない領域は、少なくとも前記溝によって完全にまたは部分的に包囲される領域である、方法。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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