フラックスゲート型磁気センサ素子およびその製造方法ならびにフラックスゲート型磁気センサおよびその製造方法
- 開放特許情報番号
- L2018001187
- 開放特許情報登録日
- 2018/6/26
- 最新更新日
- 2018/6/26
基本情報
| 出願番号 | 特願2015-135431 |
|---|---|
| 出願日 | 2015/7/6 |
| 出願人 | 株式会社フジクラ |
| 公開番号 | |
| 公開日 | 2017/1/19 |
| 発明の名称 | フラックスゲート型磁気センサ素子およびその製造方法ならびにフラックスゲート型磁気センサおよびその製造方法 |
| 技術分野 | 情報・通信 |
| 機能 | 検査・検出 |
| 適用製品 | フラックスゲート型磁気センサ素子、フラックスゲート型磁気センサ |
| 目的 | 磁気センサ素子として使用可能な程度の耐久性を保ちつつ、従来よりも大きな電流値を測定できる磁気センサ素子を提供する。 |
| 効果 | 磁性体部と磁気素子部との距離が小さくなった分だけ、従来よりも、磁性体部が、バスバーから発生する磁界を吸引する量が増加する。
バスバーに大電流を印加させても、磁気素子部に印加される磁界の量が磁性体部によってより低減される為、磁気素子部において磁気飽和を起こす度合いが低減される。 磁気素子部は従来よりも電流測定限界値を超えずに測定する事が可能となる。 磁気センサ素子として使用可能な程度の耐久性を保ちつつ、大きな電流値を測定できる磁気センサ素子を実現する事が可能となる。 |
技術概要) |
非磁性基板と、
前記非磁性基板の主面上に前記非磁性基板と一体的に形成された薄膜状の磁性体部と、 前記磁性体部の主面上に前記磁性体部と一体的に形成された薄膜状の磁気素子部と、 を少なくとも備えることを特徴とするフラックスゲート型磁気センサ素子。 |
| 実施実績 | 【試作】 |
| 許諾実績 | 【無】 |
| 特許権譲渡 | 【可】 |
| 特許権実施許諾 | 【可】 |
登録者情報
| 登録者名称 | |
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その他の情報
| 関連特許 |
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