| 出願番号 |
特願2014-102210 |
| 出願日 |
2014/5/16 |
| 出願人 |
国立研究開発法人物質・材料研究機構 |
| 公開番号 |
特開2015-220310 |
| 公開日 |
2015/12/7 |
| 登録番号 |
特許第6188025号 |
| 特許権者 |
国立研究開発法人物質・材料研究機構 |
| 発明の名称 |
銀拡散障壁材料、銀拡散障壁、銀拡散障壁被覆 |
| 技術分野 |
電気・電子、有機材料 |
| 機能 |
材料・素材の製造 |
| 適用製品 |
銀拡散障壁材料、この材料を使用した銀拡散障壁、この障壁を使用した半導体デバイス |
| 目的 |
Ａｇ／ＰＰｙ複合体に対する良好な接着性及びＡｇ拡散障壁特性を有する適切な障壁層を与える。 |
| 効果 |
酸窒化Ｓｉ中の酸素の量を調節することにより、Ａｇ／ＰＰｙ複合体からＳｉへのＡｇの拡散を充分に阻止するとともにＳｉへの高い接着性を有する拡散障壁層材料を提供することができる。 |
技術概要
 |
シリコン貫通電極により複数のシリコンチップを縦方向に積層した半導体デバイスにおいて、前記複数のシリコンチップ間の電気接続を与えるためのビアの内表面に、酸素の含有量が４．２原子％〜３７．５原子％の範囲内にある酸窒化ケイ素からなる銀拡散障壁材料からなる銀拡散障壁を設け、前記銀拡散障壁が設けられた前記ビアに銀／ポリピロール複合体材料が充填された半導体デバイス。 |
| 実施実績 |
【無】 |
| 許諾実績 |
【無】 |
| 特許権譲渡 |
【否】
|
| 特許権実施許諾 |
【可】
|
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