| 出願番号 |
特願2016-047872 |
| 出願日 |
2016/3/11 |
| 出願人 |
国立大学法人九州工業大学 |
| 公開番号 |
特開2017-161436 |
| 公開日 |
2017/9/14 |
| 登録番号 |
特許第6607607号 |
| 特許権者 |
国立大学法人九州工業大学 |
| 発明の名称 |
微粒子の３Ｄ位置特定装置及び特定方法 |
| 技術分野 |
情報・通信 |
| 機能 |
機械・部品の製造 |
| 適用製品 |
３Ｄ位置特定装置及び特定方法 |
| 目的 |
走査せず、ワンショットで各単ナノ粒子の深さ座標位置ｚの情報を得ることにより、3次元位置情報を高分解能で求める。 |
| 効果 |
二波長のエバネッセント光を用いることにより、ナノ粒子の奥行き方向（深さ）位置を測定することが可能になった。また、各単粒子の深さ位置ｚの情報を得ることにより、点強度分布の限界によらず、ナノスケールにおける高分解能のナノ粒子３次元位置測定（3D追跡）することが可能になった。また、この深さの情報により、単粒子の粒径を同時に測定することができる。 |
技術概要
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レーザー光を屈折率の大きい媒質n1と小さい媒質n2の境界面で全反射させることにより発生させた近接場光を媒質n2の中に存在する微粒子に照射する。レーザー光源を、波長λ1を有する第１のレーザー光源と、波長λ1とは異なる波長λ2を有する第２のレーザー光源によって構成する。イメージセンサは、散乱光を波長毎に分離して検出して、記憶媒体に記憶する。波長毎に記憶されている３次元散乱光強度分布より、最大強度値を検出し、かつ、そのｘ、ｙ座標位置を、微粒子のｘ、ｙ座標位置として出力する。波長毎に検出した最大強度値を用いて演算し、演算結果を微粒子のｚ座標位置として出力する。 |
| 実施実績 |
【無】 |
| 許諾実績 |
【無】 |
| 特許権譲渡 |
【否】
|
| 特許権実施許諾 |
【可】
|
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