微粒子の3D位置特定装置及び特定方法

開放特許情報番号
L2018000977
開放特許情報登録日
2018/5/15
最新更新日
2018/5/15

基本情報

出願番号 特願2016-047872
出願日 2016/3/11
出願人 国立大学法人九州工業大学
公開番号 特開2017-161436
公開日 2017/9/14
発明の名称 微粒子の3D位置特定装置及び特定方法
技術分野 情報・通信
機能 機械・部品の製造
適用製品 3D位置特定装置及び特定方法
目的 走査せず、ワンショットで各単ナノ粒子の深さ座標位置zの情報を得ることにより、3次元位置情報を高分解能で求める。
効果 二波長のエバネッセント光を用いることにより、ナノ粒子の奥行き方向(深さ)位置を測定することが可能になった。また、各単粒子の深さ位置zの情報を得ることにより、点強度分布の限界によらず、ナノスケールにおける高分解能のナノ粒子3次元位置測定(3D追跡)することが可能になった。また、この深さの情報により、単粒子の粒径を同時に測定することができる。
技術概要
レーザー光を屈折率の大きい媒質n1と小さい媒質n2の境界面で全反射させることにより発生させた近接場光を媒質n2の中に存在する微粒子に照射する。レーザー光源を、波長λ1を有する第1のレーザー光源と、波長λ1とは異なる波長λ2を有する第2のレーザー光源によって構成する。イメージセンサは、散乱光を波長毎に分離して検出して、記憶媒体に記憶する。波長毎に記憶されている3次元散乱光強度分布より、最大強度値を検出し、かつ、そのx、y座標位置を、微粒子のx、y座標位置として出力する。波長毎に検出した最大強度値を用いて演算し、演算結果を微粒子のz座標位置として出力する。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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