誘電体層及び誘電体層の製造方法、並びに固体電子装置及び固体電子装置の製造方法

開放特許情報番号
L2018000960
開放特許情報登録日
2018/5/14
最新更新日
2018/5/14

基本情報

出願番号 特願2015-506721
出願日 2014/3/12
出願人 国立研究開発法人科学技術振興機構
公開番号 WO2014/148336
公開日 2014/9/25
登録番号 特許第6247684号
特許権者 国立研究開発法人科学技術振興機構
発明の名称 誘電体層及び誘電体層の製造方法、並びに固体電子装置及び固体電子装置の製造方法
技術分野 電気・電子
機能 材料・素材の製造、機械・部品の製造
適用製品 誘電体層及び誘電体層の製造方法、並びに固体電子装置及び固体電子装置の製造方法
目的 酸化物を少なくとも誘電体層に適用した積層キャパシター又は上述のその他の各種の固体電子装置の高性能化、又はそのような積層キャパシター又は上述のその他の各種の固体電子装置の製造プロセスの簡素化と省エネルギー化を実現する。その結果、本発明は、工業性ないし量産性に優れた積層キャパシター又はその他の各種の固体電子装置の提供。
効果 本発明の1つの固体電子装置によれば、リーク電流を低く抑えるとともに平坦性が優れた誘電体層を有する固体電子装置が実現される。また、本発明の1つの固体電子装置の製造方法によれば、比較的簡素な処理によって第1酸化物層及び第2酸化物層が形成されるため、工業性ないし量産性に優れた固体電子装置の製造方法を提供することができる。
技術概要
ビスマス(Bi)とニオブ(Nb)とからなる酸化物(不可避不純物を含み得る)によって構成される第1酸化物層と、ランタン(La)とタンタル(Ta)とからなる酸化物、ランタン(La)とジルコニウム(Zr)とからなる酸化物、及びストロンチウム(Sr)とタンタル(Ta)とからなる酸化物の群から選択される1種の酸化物(不可避不純物を含み得る)によって構成される第2酸化物層との積層酸化物からなり、かつ
前記第1酸化物層がパイロクロア型結晶構造の結晶相を有するとともに、前記ビスマス(Bi)を1としたときに前記ニオブ(Nb)の原子組成比が、0.33以上3以下である、
誘電体層。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

アピール情報

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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