有機薄膜を用いた電子デバイス、及びそれを含有してなる電子機器

開放特許情報番号
L2018000958
開放特許情報登録日
2018/5/14
最新更新日
2018/5/14

基本情報

出願番号 特願2014-561596
出願日 2013/8/21
出願人 国立研究開発法人科学技術振興機構
公開番号 WO2014/125527
公開日 2014/8/21
登録番号 特許第6272242号
特許権者 国立研究開発法人科学技術振興機構
発明の名称 有機薄膜を用いた電子デバイス、及びそれを含有してなる電子機器
技術分野 電気・電子、有機材料
機能 材料・素材の製造
適用製品 電子デバイス、回路基板及び電子機器
目的 絶縁体と有機半導体の極めて均一な界面を形成することで、高性能、高均質、高安定な電子デバイスを提供する。本発明の電子デバイスは、絶縁体と有機半導体の界面が極めて均一になるためにノイズレベルの低い電子デバイスを実現することで、微弱な信号、例えば生体が発する信号を高感度に検出することを可能にする。更には、本発明の界面を形成する膜はフレキシブルで大面積とすることができ、大面積でフレキシブルな電子デバイスを提供する。
効果 有機半導体層と絶縁体層の界面を極めて均質・清浄に形成でき、大面積にわたって均一な電子デバイス、特にトランジスタを形成することができる。
従来技術では得ることができない、高い移動度、高い耐久性、低いリーク電流の性能を有する半導体素子を均質で安定に作成することができる。
本発明の単分子膜の構造は、得られる単分子膜は下層または上層の表面状態の影響を受けない。
各種のディスプレイや電子ペーパーなどに応用することができ、パソコン、携帯端末、家電製品だけでなく、医療分野などへも適用することができる。
技術概要
一般式[I]
で表されるヤヌス型トリプチセン誘導体を含有してなる有機薄膜を構成要素として含有してなり、当該有機薄膜が絶縁層の上に形成された、電子デバイス。
イメージ図
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

アピール情報

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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