| 出願番号 |
特願2013-033503 |
| 出願日 |
2013/2/22 |
| 出願人 |
国立大学法人 熊本大学 |
| 公開番号 |
特開2014-063973 |
| 公開日 |
2014/4/10 |
| 登録番号 |
特許第6137668号 |
| 特許権者 |
国立大学法人 熊本大学 |
| 発明の名称 |
酸化亜鉛結晶層の製造方法及びミスト化学気相成長装置 |
| 技術分野 |
電気・電子、金属材料、無機材料 |
| 機能 |
材料・素材の製造、機械・部品の製造 |
| 適用製品 |
酸化亜鉛結晶層の製造方法及び酸化亜鉛結晶層の製造方法に適したミスト化学気相成長装置 |
| 目的 |
バッファ層を用いずに、ａ面又はｍ面サファイア基板上に、結晶欠陥の少ない酸化亜鉛結晶層を形成する方法を提供する。
酸化亜鉛結晶層等の薄膜状の酸化物結晶層の形成に適したミスト化学気相成長装置を提供する。 |
| 効果 |
低コストに酸化亜鉛結晶層を製造することができる。得られる酸化亜鉛結晶層は、発光強度の増大が可能な非極性面であるため、酸化亜鉛のバンド端から発せられる紫外発光、および酸素欠陥等による欠陥準位からの緑色発光において、発光強度を顕著に増強することができるため、発光素子として好適に用いることができる。また、得られる酸化亜鉛結晶層は、従来のＭＯＣＶＤに匹敵する表面平滑性を有する。
また、本発明のミスト化学気相成長装置によれば、より広い基板に均一性高く、酸化亜鉛結晶層等の薄膜状の酸化物結晶層を形成することができる。 |
技術概要
 |
酸化亜鉛前駆体を含む原料溶液を霧化して発生したミストをキャリアガスによって基板上に搬送し、該基板上で熱化学反応させて酸化亜鉛からなる層を形成するミスト化学気相成長法によって、表面の結晶面がｍ面であるサファイア基板上に酸化亜鉛をエピタキシー成長で結晶成長させ、前記サファイア基板上に表面結晶面が非極性面である酸化亜鉛結晶層を形成することを特徴とする酸化亜鉛結晶層の製造方法。 |
| 実施実績 |
【無】 |
| 許諾実績 |
【無】 |
| 特許権譲渡 |
【否】
|
| 特許権実施許諾 |
【可】
|
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