誘電体薄膜
- 開放特許情報番号
- L2018000895
- 開放特許情報登録日
- 2018/5/9
- 最新更新日
- 2018/5/9
基本情報
| 出願番号 | 特願2014-171406 |
|---|---|
| 出願日 | 2014/8/26 |
| 出願人 | 国立研究開発法人物質・材料研究機構 |
| 公開番号 | |
| 公開日 | 2016/4/4 |
| 登録番号 | |
| 特許権者 | 国立研究開発法人物質・材料研究機構 |
| 発明の名称 | 誘電体薄膜 |
| 技術分野 | 金属材料、電気・電子 |
| 機能 | 材料・素材の製造 |
| 適用製品 | 誘電体薄膜 |
| 目的 | 誘電体中のＢｉが熱拡散して表面に析出することを防止する。 |
| 効果 | 本発明によれば、Ｂｉを含む誘電体材料中でのＢｉの拡散及び表面での析出を防止できるので、キャパシタ特性の安定化に有効である。 |
技術概要) |
Ｂｉを含む誘電体層とＢｉの拡散を抑止する元素を含むバリア層とを交互積層した誘電体薄膜。 |
| 実施実績 | 【無】 |
| 許諾実績 | 【無】 |
| 特許権譲渡 | 【否】 |
| 特許権実施許諾 | 【可】 |
登録者情報
| 登録者名称 | |
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その他の情報
| 関連特許 |
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