リフトオフ法、超微細2次元パターンアレイ及びプラズモンデバイス

開放特許情報番号
L2018000894
開放特許情報登録日
2018/5/9
最新更新日
2018/5/9

基本情報

出願番号 特願2014-170264
出願日 2014/8/25
出願人 国立研究開発法人物質・材料研究機構
公開番号 特開2016-046408
公開日 2016/4/4
発明の名称 リフトオフ法、超微細2次元パターンアレイ及びプラズモンデバイス
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造
適用製品 リフトオフ法、超微細2次元パターンアレイ及びプラズモンデバイス
目的 レジスト断面を逆テーパ形状にするための努力を必要とすることなく、希望通りのパターンを形成できるリフトオフ法、精密な超微細2次元パターンアレイ及び効率の高いプラズモンデバイスを提供する。
効果 本発明のリフトオフ法は、レジスト断面を逆テーパ形状にするための努力を必要とすることなく、レジスト層上に形成した薄膜のみを分離することができ、希望通りのパターンを形成できる。これにより、超微細2次元パターンアレイを容易に形成でき、プラズモンデバイスを容易に作製できる。
本発明の超微細2次元パターンアレイは、精密にレイアウトできる。これにより、プラズモンデバイスを容易に作製できる。
本発明のプラズモンデバイスは、熱放射効率を高くできる。
技術概要
基板の一面に均一な厚さでレジスト層を形成する工程と、
前記レジスト層に基板表面を露出させた露出部を形成する工程と、
前記レジスト層の一部を覆い、少なくとも前記露出部を完全に覆うように薄膜層を形成する工程と、
レジスト除去液に浸漬して、前記レジスト層を溶解除去する工程と、
前記レジスト除去液を水又は水溶液で置換してから、冷凍して、前記露出部を完全に覆うように形成した薄膜層部分を残し、他の薄膜層部分をリフトオフし、前記露出部を完全に覆うように形成した薄膜層部分を有する突出部を形成する工程と、を有することを特徴とするリフトオフ法。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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