| 出願番号 |
特願2014-173124 |
| 出願日 |
2014/8/27 |
| 出願人 |
国立研究開発法人物質・材料研究機構 |
| 公開番号 |
特開2016-047785 |
| 公開日 |
2016/4/7 |
| 登録番号 |
特許第6367652号 |
| 特許権者 |
国立研究開発法人物質・材料研究機構 |
| 発明の名称 |
シリコン（Ｓｉ）系ナノ構造材料及びその製造方法 |
| 技術分野 |
化学・薬品、無機材料、電気・電子 |
| 機能 |
材料・素材の製造 |
| 適用製品 |
Ｓｉ系ナノ構造材料及びその製造方法 |
| 目的 |
新規なモルフォロジーを有し、多くの空隙を内部に有することにより膨張と収縮のサイクルによる損傷の少ないＳｉ系ナノ構造材料を提供する。 |
| 効果 |
本発明に係るＳｉ系ナノ構造材料は多数のナノ粒子が集合して突起を形成するとともに、突起の内部に多数の空隙を有することで、膨張による内部応力の増大を抑制する構造を有するため、Ｌｉイオン二次電池の負極材などの膨張・収縮のサイクルを繰り返す用途に使用した場合の破壊による劣化が少ない。また、Ｓｉ系ナノ構造材料中のシリコンと金属元素の組成を制御することで、Ｌｉイオン二次電池負極材の高容量化と長寿命化の両立を高いレベルで達成することができる。 |
技術概要
 |
金属基板上にゲルマニウムナノワイヤを成長させ、
前記ゲルマニウムナノワイヤが成長した前記金属基板をシランガス中で加熱することにより、前記金属基板の金属を含むシリコンナノ粒子の集合物を前記ゲルマニウムナノワイヤ上に成長させる
シリコン系ナノ構造材料の製造方法。 |
| 実施実績 |
【無】 |
| 許諾実績 |
【無】 |
| 特許権譲渡 |
【否】
|
| 特許権実施許諾 |
【可】
|
)