抵抗変化素子

開放特許情報番号
L2018000879
開放特許情報登録日
2018/4/27
最新更新日
2018/4/27

基本情報

出願番号 特願2014-207339
出願日 2014/10/8
出願人 国立研究開発法人物質・材料研究機構
公開番号 特開2016-076655
公開日 2016/5/12
発明の名称 抵抗変化素子
技術分野 電気・電子
機能 材料・素材の製造
適用製品 2端子型素子
目的 金属酸化物層の絶縁性が素子動作を繰り返しても容易に低下せず、高いオンオフ比を維持したままの動作が可能な抵抗変化素子を提供する。
効果 本発明によれば、オンオフ抵抗比が大きく、しかもオンオフ動作の繰り返しによる特性の劣化が抑止された抵抗変化素子を提供することができる。
技術概要
金属酸化物層中で酸素空孔が電界によって移動することで抵抗が変化する2端子型素子である抵抗変化素子であって、
金属酸化物層を挟む2つの金属電極のうち、一方の金属電極と前記金属酸化物層との界面に界面層を設け、
前記界面層中に導電性フィラメントを成長させるために必要な電界強度は前記金属酸化物中に導電性フィラメントを成長させるために必要な電界強度よりも大きい
抵抗変化素子。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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