| 出願番号 |
特願2014-189603 |
| 出願日 |
2014/9/18 |
| 出願人 |
国立研究開発法人物質・材料研究機構 |
| 公開番号 |
特開2016-063059 |
| 公開日 |
2016/4/25 |
| 登録番号 |
特許第6452126号 |
| 特許権者 |
国立研究開発法人物質・材料研究機構 |
| 発明の名称 |
有機半導体トランジスタ及びその製造方法 |
| 技術分野 |
電気・電子 |
| 機能 |
材料・素材の製造 |
| 適用製品 |
有機半導体トランジスタ及びその製造方法 |
| 目的 |
有機半導体のパターン形成によるチャネルの挙動への悪影響のない有機半導体トランジスタを提供する。 |
| 効果 |
有機半導体のパターン形成の初期段階で有機半導体パターンが他の材料に形成された凹部中に収容されるので、チャネルを有機半導体パターン中の当該埋め込まれている領域内部に形成することにより、エッチング等のそれ以降の処理がチャネルの挙動に悪影響を与えるのを防止できる。 |
技術概要
 |
ゲート電極が設けられた基板と、前記基板上に形成された絶縁体膜と、前記絶縁体膜に形成された凹部中に収容された有機半導体と、前記有機半導体の前記基板とは反対側の面に接続されたソース電極及びドレイン電極
とを有する有機半導体トランジスタ。 |
| 実施実績 |
【無】 |
| 許諾実績 |
【無】 |
| 特許権譲渡 |
【否】
|
| 特許権実施許諾 |
【可】
|
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