ケイ素及びテルルをドープしたスクッテルダイト熱電変半導体、その製造方法及びそれを用いた熱電発電素子

開放特許情報番号
L2018000863
開放特許情報登録日
2018/4/27
最新更新日
2018/4/27

基本情報

出願番号 特願2015-184746
出願日 2015/9/18
出願人 国立研究開発法人物質・材料研究機構
公開番号 特開2016-066795
公開日 2016/4/28
発明の名称 ケイ素及びテルルをドープしたスクッテルダイト熱電変半導体、その製造方法及びそれを用いた熱電発電素子
技術分野 電気・電子、機械・加工、金属材料
機能 材料・素材の製造
適用製品 スクッテルダイト熱電半導体の製造方法及びそれを用いた熱電発電素子
目的 安定供給や耐酸化性の点で問題のある希土類、Ba等を使用しなくても良好な熱電性能を有するスクッテルダイト熱電変換半導体を提供する。
効果 本発明によれば、高い熱電性能を有する希土類を含まないスクッテルダイト熱電半導体を提供することができる。
技術概要
以下の組成を有するスクッテルダイト熱電半導体。
CoSb↓(3−x−y)Si↓xTe↓y(ここで、0.003<x<0.25、0.025<y<0.40)
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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