シリコン表面パッシベーション方法及び表面パッシベーション処理されたシリコン

基本情報

出願番号	特願2014-198340
出願日	2014/9/29
出願人	国立研究開発法人物質・材料研究機構
公開番号	特開2016-072351
公開日	2016/5/9
登録番号	特許第6415918号
特許権者	国立研究開発法人物質・材料研究機構
発明の名称	シリコン表面パッシベーション方法、表面パッシベーション処理されたシリコンの製造方法、及び、太陽電池の製造方法
技術分野	電気・電子
機能	材料・素材の製造
適用製品	表面パッシベーション処理されたシリコン
目的	シリコン表面でキャリアの再結合中心となる欠陥を温和な条件下で不活性化する、シリコン系ナノ材料の表面欠陥の不活性化に特に有効な方法を提供する。
効果	オゾン処理によりキャリアの再結合中心となる表面欠陥のダングリングボンド（未結合手）を終端し、電気的に不活性とすることで、簡単な処理でキャリアの再結合を高い効率で抑制することができる。
技術概要	シリコン表面をオゾンを含有する雰囲気中に保持することによる、シリコン表面パッシベーション方法。
実施実績	【無】
許諾実績	【無】
特許権譲渡	【否】
特許権実施許諾	【可】

登録者名称	国立研究開発法人物質・材料研究機構