目的
フッ素によって基板に損傷を与えることなく、高純度の金属薄膜を得ることが可能な製膜方法を提供する。
効果
元素組成で1at％以下の高純度の金属薄膜を製膜できる。
抵抗率を3.0×10-7Ω・ｍ以下に抑えられる。
フッ素原子を含まないアミノイミノ原料を用いるため、フッ素の生成による基板への損傷の恐れがない。
技術概要
化学反応を用いた薄膜堆積法によって基板の表面に金属薄膜を製膜する方法であって、
第1工程（基板を350〜400℃の範囲に加熱し、前記基板の表面に、イメージ図に式（1）で示される有機金属化学種を含む原料ガスと含窒素反応ガスとを供給して、金属窒化膜を形成）と、
第2工程（前記基板の表面に水素ガスを供給して、前記金属窒化膜中の窒素原子を除去）を含む金属薄膜の製膜方法。
なお、式（1）において、R1及びR2は、CnH2+1（n=1〜4）の化学式で表される直鎖状又は分岐された炭化水素であり、R3は、水素又はCnH2+1（n=1〜4）の化学式で表される直鎖状又は分岐された炭化水素である。
また、M1は、第5族又は第6族の金属原子であり、M1が第5族である場合にp+2q=5であり、M1が第6族である場合にp+2q=6である。
基本情報
開放特許情報
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