金属薄膜の製膜方法
- 開放特許情報番号
- L2018000776
- 開放特許情報登録日
- 2018/4/18
- 最新更新日
- 2018/4/18
基本情報
| 出願番号 | 特願2013-151105 |
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| 出願日 | 2013/7/19 |
| 出願人 | 大陽日酸株式会社 |
| 公開番号 | |
| 公開日 | 2015/2/2 |
| 登録番号 | |
| 特許権者 | 大陽日酸株式会社 |
| 発明の名称 | 金属薄膜の製膜方法 |
| 技術分野 | 化学・薬品、電気・電子 |
| 機能 | 材料・素材の製造、表面処理 |
| 適用製品 | 金属薄膜 |
| 目的 | フッ素によって基板に損傷を与えることなく、高純度の金属薄膜を得ることが可能な製膜方法を提供する。 |
| 効果 | 元素組成で1at％以下の高純度の金属薄膜を製膜できる。
抵抗率を3.0×10-7Ω・ｍ以下に抑えられる。 フッ素原子を含まないアミノイミノ原料を用いるため、フッ素の生成による基板への損傷の恐れがない。 |
技術概要) |
化学反応を用いた薄膜堆積法によって基板の表面に金属薄膜を製膜する方法であって、
第1工程（基板を350〜400℃の範囲に加熱し、前記基板の表面に、イメージ図に式（1）で示される有機金属化学種を含む原料ガスと含窒素反応ガスとを供給して、金属窒化膜を形成）と、 第2工程（前記基板の表面に水素ガスを供給して、前記金属窒化膜中の窒素原子を除去）を含む金属薄膜の製膜方法。 なお、式（1）において、R1及びR2は、CnH2+1（n=1〜4）の化学式で表される直鎖状又は分岐された炭化水素であり、R3は、水素又はCnH2+1（n=1〜4）の化学式で表される直鎖状又は分岐された炭化水素である。 また、M1は、第5族又は第6族の金属原子であり、M1が第5族である場合にp+2q=5であり、M1が第6族である場合にp+2q=6である。 |
| 実施実績 | 【無】 |
| 許諾実績 | 【無】 |
| 特許権譲渡 | 【否】 |
| 特許権実施許諾 | 【可】 |
登録者情報
| 登録者名称 | |
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その他の情報
| 関連特許 |
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