シリコン窒化膜の形成方法

開放特許情報番号
L2018000768
開放特許情報登録日
2018/4/18
最新更新日
2018/4/18

基本情報

出願番号 特願2011-020680
出願日 2011/2/2
出願人 大陽日酸株式会社
公開番号 特開2012-160647
公開日 2012/8/23
登録番号 特許第5731841号
特許権者 大陽日酸株式会社
発明の名称 シリコン窒化膜の形成方法
技術分野 電気・電子、化学・薬品
機能 材料・素材の製造、表面処理
適用製品 シリコン窒化膜
目的 プラズマCVD装置を用いて、低温環境下(好ましくは300℃以下の形成温度)で膜特性に優れた(薄膜間における原子の拡散及び水分や酸素等の大気成分の侵入を防止でき、光の反射を抑止できる)シリコン窒化膜の形成方法を提供する。
効果 (1)原料にテトラメチルジシラザンを用いることで、300℃以下の形成温度で膜特性に優れたシリコン窒化膜を形成できる。
(2)テトラメチルジシラザンと窒素源となる原料ガスとの混合比を、流量比で1:100〜1:1000の範囲内にすると、高い成膜速度条件となり、経時変化のない膜を形成できる。
(3)形成圧力を1〜100Paの範囲内とすると、プラズマ放電の制御性を確保しつつ優れた膜特性を得られる。
技術概要
容量結合型プラズマ源を備えたプラズマCVD装置を用いて、シリコン源と窒素源の混合ガスを真空環境下でプラズマ化することにより、屈折率1.85以上のシリコン窒化膜を形成する方法であって、(1)シリコン源として、テトラメチルジシラザンを用い、(2)形成圧力を1〜100Paの範囲とし、(3)プラズマ発生のための電力の電力密度を4〜5W/cm2の範囲とし、(4)テトラメチルジシラザンと窒素源となる原料ガスとの混合比が、流量比で1:100〜1:1000の範囲であることを特徴とする。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

登録者名称 大陽日酸株式会社

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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