薄膜太陽電池用三次元微細構造パターン基板と薄膜太陽電池

開放特許情報番号
L2018000756
開放特許情報登録日
2018/4/16
最新更新日
2018/12/24

基本情報

出願番号 特願2014-235865
出願日 2014/11/20
出願人 国立研究開発法人物質・材料研究機構
公開番号 特開2016-100444
公開日 2016/5/30
登録番号 特許第6415942号
特許権者 国立研究開発法人物質・材料研究機構
発明の名称 薄膜太陽電池用三次元微細構造パターン基板と薄膜太陽電池
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造
適用製品 薄膜太陽電池
目的 三次元微細構造パターンを有する太陽電池構造として、より高いエネルギー変換効率を得る。
効果 表面上に、薄膜太陽電池の各構成層を均一な膜厚で高品質に形成することが可能となり、高効率な薄膜太陽電池の作製が可能となる。また、三次元微細構造パターン形成手法として、低コスト製造の可能性を有するインプリント技術を、インプリントの際のパターン転写性、離型性に優れた形状であることより、採用可能となる。
技術概要
平面パターンとして、円形レンズ状窪みが、その円形の直径より短いピッチで、隣接する二つの円形レンズ状窪みの平面円形が一部重なり、隣接する三つの円形レンズ状窪みの平面円形が同時に重なる部分がないように三方配列されており、立体形状として、前記一部重なり合った部分が部分的に除去されて隔壁部となり、三つの円形レンズ状窪みの平面円形に囲まれた部分が、円形レンズ状窪み底部からなだらかに続いた曲面で三角錐状凸部となっている薄膜太陽電池用三次元微細構造パターン構造とする。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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