抵抗変化型素子およびその製造方法

開放特許情報番号
L2018000746
開放特許情報登録日
2018/4/16
最新更新日
2018/4/16

基本情報

出願番号 特願2015-005464
出願日 2015/1/15
出願人 国立研究開発法人物質・材料研究機構
公開番号 特開2016-131216
公開日 2016/7/21
発明の名称 抵抗変化型素子およびその製造方法
技術分野 電気・電子、金属材料
機能 機械・部品の製造
適用製品 抵抗変化型素子およびその製造法
目的 酸素欠損の量を酸化物に均一分散させたReRAM等の抵抗変化型素子およびその製造方法を提供する。
効果 低くしかも安定したフォーミング電圧を有するとともに、抵抗変化特性に優れたReRAM等の抵抗変化型素子を提供することができる。
技術概要
第1の電極と第2の電極との間に設けられた金属酸化物膜を有する抵抗変化型素子であって、
前記第1の電極と前記金属酸化物膜の間に非晶質な酸化アルミニウムまたは酸化炭化アルミニウムの島状または粒子状物が分散されている抵抗変化型素子。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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