ホイスラー合金薄膜およびその製造方法、磁気抵抗効果素子、磁気メモリ

開放特許情報番号
L2018000745
開放特許情報登録日
2018/4/16
最新更新日
2018/4/16

基本情報

出願番号 特願2015-008689
出願日 2015/1/20
出願人 国立研究開発法人物質・材料研究機構
公開番号 特開2016-134520
公開日 2016/7/25
発明の名称 ホイスラー合金薄膜およびその製造方法、磁気抵抗効果素子、磁気メモリ
技術分野 電気・電子、情報・通信
機能 材料・素材の製造
適用製品 ホイスラー合金薄膜およびその製造方法、磁気抵抗効果素子、磁気メモリ
目的 熱処理温度を過度に上昇させることなく、L2↓1規則度を高め、スピン偏極率の高いホイスラー合金薄膜を提供する。
効果 本発明のホイスラー合金薄膜においては、比較的低い熱処理温度においても、高い結晶性と高いL2↓1規則度を有するホイスラー合金薄膜を作製することができる。そこで、本発明のホイスラー合金薄膜を用いたCPP−GMR素子のような積層膜においては、層間の相互拡散や結晶の粒成長促進による界面ラフネスの増大を防止でき、高い磁気抵抗比を示す磁気抵抗効果素子の作製に適しており、磁気メモリ、磁気センサーに用いて好適である。
技術概要
化学組成がCo↓2YZ(Y=V、Cr、Mn、Fe、Z=Al、Si、Ga、Ge)であるホイスラー合金薄膜に、Agを5at.%以下にホイスラー合金薄膜中にドープし、熱処理することを特徴とするホイスラー合金薄膜。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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