| 出願番号 |
特願2015-008689 |
| 出願日 |
2015/1/20 |
| 出願人 |
国立研究開発法人物質・材料研究機構 |
| 公開番号 |
特開2016-134520 |
| 公開日 |
2016/7/25 |
| 発明の名称 |
ホイスラー合金薄膜およびその製造方法、磁気抵抗効果素子、磁気メモリ |
| 技術分野 |
電気・電子、情報・通信 |
| 機能 |
材料・素材の製造 |
| 適用製品 |
ホイスラー合金薄膜およびその製造方法、磁気抵抗効果素子、磁気メモリ |
| 目的 |
熱処理温度を過度に上昇させることなく、Ｌ２↓１規則度を高め、スピン偏極率の高いホイスラー合金薄膜を提供する。 |
| 効果 |
本発明のホイスラー合金薄膜においては、比較的低い熱処理温度においても、高い結晶性と高いＬ２↓１規則度を有するホイスラー合金薄膜を作製することができる。そこで、本発明のホイスラー合金薄膜を用いたＣＰＰ−ＧＭＲ素子のような積層膜においては、層間の相互拡散や結晶の粒成長促進による界面ラフネスの増大を防止でき、高い磁気抵抗比を示す磁気抵抗効果素子の作製に適しており、磁気メモリ、磁気センサーに用いて好適である。 |
技術概要
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化学組成がＣｏ↓２ＹＺ（Ｙ＝Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｚ＝Ａｌ、Ｓｉ、Ｇａ、Ｇｅ）であるホイスラー合金薄膜に、Ａｇを５ａｔ．％以下にホイスラー合金薄膜中にドープし、熱処理することを特徴とするホイスラー合金薄膜。 |
| 実施実績 |
【無】 |
| 許諾実績 |
【無】 |
| 特許権譲渡 |
【否】
|
| 特許権実施許諾 |
【可】
|
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