| 出願番号 |
特願2015-018256 |
| 出願日 |
2015/2/2 |
| 出願人 |
国立研究開発法人物質・材料研究機構 |
| 公開番号 |
特開2016-143758 |
| 公開日 |
2016/8/8 |
| 登録番号 |
特許第6504597号 |
| 特許権者 |
国立研究開発法人物質・材料研究機構 |
| 発明の名称 |
テルル化ビスマス薄膜製造方法 |
| 技術分野 |
電気・電子、金属材料、化学・薬品 |
| 機能 |
材料・素材の製造 |
| 適用製品 |
テルル化ビスマス薄膜製造方法 |
| 目的 |
Ｂｉ↓２Ｔｅ↓３ターゲットを使用してｐ型及びｎ型の両方のＢｉ↓２Ｔｅ↓３薄膜を作り分けることができるようにする。 |
| 効果 |
単一のＢｉ↓２Ｔｅ↓３ターゲットを使用してスパッタリングの際に印加する高周波電力を変化させるだけでｐ型及びｎ型の両方のＢｉ↓２Ｔｅ↓３薄膜を作製することができるので、この薄膜の作成プロセスの簡易化を達成することができる。また、その際に基板を加熱する必要がないため、熱に弱い材料を基板として使用できるようになる。 |
技術概要
 |
マグネトロン・スパッタリング法によりテルル化ビスマスからなる一種類のターゲットを使用して基板上にテルル化ビスマス薄膜を製造する方法において、
製造されるテルル化ビスマス薄膜中のテルルの組成が５０原子％を超える高周波スパッタリング電力を印加することにより、製造されるテルル化ビス膜薄膜の伝導型をｐ型とする、
テルル化ビスマス薄膜製造方法。 |
| 実施実績 |
【無】 |
| 許諾実績 |
【無】 |
| 特許権譲渡 |
【否】
|
| 特許権実施許諾 |
【可】
|
)