半導体装置、半導体装置の製造方法、電子機器

開放特許情報番号
L2018000732
開放特許情報登録日
2018/4/12
最新更新日
2018/4/12

基本情報

出願番号 特願2013-174882
出願日 2013/8/26
出願人 国立大学法人 琉球大学
公開番号 特開2015-043388
公開日 2015/3/5
発明の名称 半導体装置、半導体装置の製造方法、電子機器
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造
適用製品 半導体装置、半導体装置の製造方法、半導体装置を備えた電子機器
目的 低いコストで製造することが可能な構造の薄膜トランジスタを有する半導体装置を提供する。また、薄膜トランジスタを低いコストで製造することが可能な、半導体装置の製造方法を提供する。さらに、薄膜トランジスタを有する半導体装置を備えた電子機器を提供する。
効果 薄膜トランジスタを有する半導体装置を、低いコストで製造することが可能になり、この半導体装置を備えた電子機器の製造コストも低減する。
ポリシリコン層により高い易動度と高い信頼性を有する薄膜トランジスタを実現することができる。
従来のポリシリコンを用いた薄膜トランジスタと比較して、製造コストを低減。
大画面の表示装置においても、高機能や高画質を実現することが可能になる。
製造方法において、基材に樹脂などの耐熱性の低い材料を使用することが可能になる。
技術概要
基材上に形成された、真性半導体であるシリコン層と、
前記シリコン層の両端部にそれぞれ電気的に接続されたチタン層と、
ゲート電極と、
前記シリコン層と前記ゲート電極の間に形成されたゲート絶縁層を有し、
前記シリコン層をチャネル層として、前記チタン層をソース・ドレインとして、前記シリコン層、前記チタン層、前記ゲート電極、前記ゲート絶縁層により、薄膜トランジスタが構成されている
半導体装置。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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